[發(fā)明專利]一種快速蒸鍍電極的方法及其在光電器件中的應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110278388.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-15
• 公開（公告）號(hào): CN115084385A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯劍輝;康倩;許博為
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所
• 主分類號(hào): H01L51/44
• 分類號(hào): H01L51/44;H01L51/42;H01L51/48;C23C14/24;C23C14/18;C23C14/08
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 王春霞

1.一種光電器件的制備方法，包括如下步驟：

采用溶液法，依次在基底上制備第一界面層、功能材料層和第二界面層，然后在所述第二界面層上快速蒸鍍沉積對(duì)電極；

所述光電器件為反向結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：在0.5～1min完成所述第二界面層的旋涂制備。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：溶液法制備所述第二界面層的條件如下：

旋涂速度為1000～3000rpm，溶液濃度為0.1～10mg/mL。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：蒸鍍沉積所述對(duì)電極的速度為

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：所述第一界面層和所述第二界面層的厚度均為0～200nm，但不為零；

所述功能材料層的厚度為10～1000nm。

所述對(duì)電極的厚度為0～3000nm，但不為零。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：所述基底的材質(zhì)選自下述任一種：

硅、氧化銦錫、氟摻雜氧化錫、鋁摻雜的氧化鋅、金、銀納米線和復(fù)合電極；

所述第一界面層的材質(zhì)選自下述任一種：

氟化鋰、氧化鋅、氧化鎢、三氧化鉬、五氧化二釩、氧化鎳、鈦配合物、PEDOT：PSS、PFN、鈣、鎂、鋇、鋁、銀、金、銅、鎳、鋅、鈦、錳、鐵、鉑和鉬；

所述第二界面層的材質(zhì)為有機(jī)無機(jī)復(fù)合材料；

所述有機(jī)無機(jī)復(fù)合材料中的有機(jī)相為PCP3B、PCP2B4FH或PCP2FLi；

所述有機(jī)無機(jī)復(fù)合材料中的無機(jī)相為POM1、POM2、POM3、POM4或POM5；

所述對(duì)電極的材質(zhì)選自下述任一種：

鈣、鎂、鋇、鋁、銀、金、銅、鎳、鋅、鈦、錳、鐵、鉑和鉬。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：所述功能活性層為光活性層，其中，電子給體材料選自下述任一種：

聚(對(duì)亞苯基亞乙烯)類聚合物、聚(亞芳基亞乙烯基)類聚合物、聚(對(duì)亞苯基)類聚合物、聚(亞芳基)類聚合物、聚噻吩類聚合物、聚喹啉類聚合物、卟啉類聚合物、酞菁類聚合物和吸電子共軛單元與給電子共軛單元偶聯(lián)組成的共聚物；

電子受體材料選自下述中任一種：

富勒烯或其衍生物、苝或其衍生物、萘或其衍生物。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述吸電子共軛單元為吡咯并吡咯二酮、苯并噻二唑、噻吩并吡咯二酮或噻吩并噻吩；

所述給電子共軛單元為咔唑、芴、苯并二噻吩、苯并二呋喃、二噻吩并苯或引達(dá)省。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備方法，其特征在于：所述電子給體材料與所述電子受體材料的質(zhì)量比為1：0.2～5。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：所述光電器件為有機(jī)太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、量子點(diǎn)電池、有機(jī)電激光顯示或有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。