[發明專利]一種條形化Micro LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 202110278340.0
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN112951873A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 張洪安;陳慧秋;武杰;易翰翔;李玉珠
• 申請（專利權）人: 廣東德力光電有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文;管瑩

1.一種條形化Micro LED芯片，其特征在于：包括襯底和設于所述襯底上的GaN基外延片，所述GaN基外延片自下而上依次設有N型GaN層、發光量子阱層和P型GaN層，所述N型GaN層上鍍設有N型電極層，所述P型GaN層上鍍設有P型電極層，其特征在于：所述GaN基外延片設有多個縱橫交錯分布的隔離槽，所述隔離槽將所述GaN基外延片劃分為多個矩陣陣列布置的發光單元，所述隔離槽位于所述N型GaN層的上方且裸露所述N型GaN層的頂面，所述P型電極層將處于同一橫列或同一數列的所述P型GaN層連接。

2.根據權利要求1所述的條形化Micro LED芯片，其特征在于：所述隔離槽內的N型GaN層的裸露頂面鍍設有與所述N型電極層一體成型的內置N型電極層，所述內置N型電極層的側邊與所述發光單元相隔。

3.根據權利要求2所述的條形化Micro LED芯片，其特征在于：所述內置N型電極層的高度與所述發光量子阱層持平。

4.根據權利要求2所述的條形化Micro LED芯片，其特征在于：所述發光單元上設有保護層，且所述保護層上設有裸露所述P型電極層的導電通道，所述內置N型電極層由所述保護層包覆。

5.根據權利要求4所述的條形化Micro LED芯片，其特征在于：所述P型電極層通過所述導電通道凸出于所述P型GaN層。

6.根據權利要求1所述的條形化Micro LED芯片，其特征在于：所述N型GaN層上設有臺階，所述發光單元設于所述臺階上。

7.根據權利要求1所述的條形化Micro LED芯片，其特征在于：所述P型GaN層與所述P型電極層之間設有ITO層。

8.一種條形化Micro LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)、制作GaN基外延片，利用MOCVD設備在襯底上自下而上依次沉積出N型GaN層、發光量子阱層和P型GaN層，形成GaN基外延片；

(2)、在所述GaN基外延片上刻蝕出多個縱橫交錯分布的隔離槽，使N型GaN層的頂面裸露，同時將所述GaN基外延片劃分為多個矩陣陣列布置的發光單元；

(3)、在所述N型GaN層上鍍設N型電極層和內置N型電極層，其中所述內置N型電極層設于所述隔離槽內且N型電極層的側邊與所述發光單元相隔；

(4)、在所述發光單元的所述P型GaN層上鍍設ITO層；

(5)、在所述發光單元上沉積一層SiO2材質的保護層，其中所述保護層將所述內置電極層包覆；

(6)、在所述保護層上刻蝕出使所述ITO層露出的導電通道；

(7)、在所述導電通道內蒸鍍上P型電極層，其中處于同一橫列或同一數列的所述P型電極層相連。