[發明專利]發光器件和顯示面板

有效

• 申請號: 202110278109.1
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113193129B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 劉俊偉;顏志敏;蘇圣勛;劉亞偉;李灝
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 廣東君龍律師事務所 44470
• 代理人: 丁建春

本申請公開了一種發光器件和顯示面板，所述發光器件包括依次層疊設置的N型基板、陰極、載流子產生層、發光層以及陽極，其中，載流子產生層用于向發光層注入電子，其包括N型有機半導體材料以及摻雜在N型有機半導體材料中的無機材料。將無機材料摻雜在N型有機半導體材料中可以提高電子在載流子產生層中的傳輸速率，使到達發光層的電子濃度提高，更多地與注入發光層的空穴復合發光，提高發光效率。而且，可以選擇功函數合適的無機材料，降低從陰極注入電子的勢壘，降低驅動電壓。此外，N型基板和陰極直接導通，使得本申請可以在N型基板內使用載流子遷移速率更優的N型TFT，將其應用于OLED顯示面板的像素電路中時，能夠增加驅動電路設計的選擇。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別是涉及一種發光器件和顯示面板。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、使用溫度范圍寬、以及可實現柔性顯示等諸多優點，被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。其中控制OLED器件的薄膜晶體管(Thin filmtransistor，TFT)通常制作于器件陽極一側，這就要求TFT必須是P型。而N型TFT中電子的遷移率明顯大于P型TFT中空穴的遷移率，若采用倒裝結構的OLED器件，則能夠使用載流子遷移速率更優的N型TFT。但是現有技術中倒裝結構的OLED器件為正裝結構中各功能層的直接倒置，其發光效率低，且驅動電壓高。

發明內容

本申請主要解決的技術問題是提供一種發光器件和顯示面板，能夠提高發光效率，降低驅動電壓。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種發光器件，包括：依次層疊設置的N型基板、陰極、載流子產生層、發光層以及陽極；其中，所述載流子產生層用于向所述發光層注入電子，且所述載流子產生層包括N型有機半導體材料以及摻雜在所述N型有機半導體材料中的無機材料。

其中，所述無機材料在所述N型有機半導體材料中摻雜的質量分數為1％-10％。

其中，所述無機材料的功函數對應能級位于所述N型有機半導體材料的最低未占據分子軌道LOMO的能級與所述陰極包含的導電材料的功函數對應能級之間。

其中，所述無機材料包括Li、Yb、Cs、Ca、Mg、Cs₂CO₃、Re₂CO₃、CsN₃、LiH、LiNH₂中至少一種。

其中，所述陰極為反射電極，所述發光層的載流子復合中心到所述陰極的光學厚度為nλ/2，λ為所述發光層所產生光線的中心波長，n為正整數。

其中，所述陽極為透明電極，所述發光層的載流子復合中心到所述陽極的光學厚度為(2n-1)λ/4，λ為所述發光層所產生的光線的中心波長，n為正整數。

其中，所述發光器件還包括：空穴注入層和空穴傳輸層，位于所述陽極和所述發光層之間，所述空穴傳輸層相對所述空穴注入層更靠近所述發光層，其中，所述空穴注入層包括第一P型有機半導體材料，所述空穴傳輸層包括第二P型有機半導體材料，所述第一P型有機半導體材料的最高占據分子軌道HOMO的能級位于所述第二P型有機半導體材料的最高占據分子軌道HOMO的能級與所述陽極包含的導電材料的功函數對應能級之間。

其中，空穴在所述空穴注入層和所述空穴傳輸層的傳輸速率低于電子在所述載流子產生層的傳輸速率，且所述載流子產生層的厚度大于所述空穴注入層和所述空穴傳輸層的厚度之和。

其中，所述發光器件還包括：電子阻擋層和空穴阻擋層，其中，所述電子阻擋層位于所述空穴傳輸層和所述發光層之間，所述空穴阻擋層位于所述載流子產生層和所述發光層之間。

為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種顯示面板，包括上述技術方案所述的發光器件。