[發明專利]一種可重構電磁超表面偏置方法

有效

• 申請號: 202110278013.5
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113098450B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 尹應增;李璞初;任建
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H03K3/3562
• 分類號: H03K3/3562
• 代理公司: 西安吉順和知識產權代理有限公司 61238
• 代理人: 王大治

1.一種可重構電磁超表面偏置方法，至少包括：可重構電磁超表面單元和偏置電路單元構成的陣面，其特征是：包括DAC模塊(9)、陣列底面單元(8)、陣列頂面單元(10)和Pin管(1)；陣列底面單元(8)和陣列頂面單元(10)通過引線和過孔連接，其中陣列底面單元(8)包括：D觸發器(8-6)、VCC走線(8-1)、GND走線(8-2)、D端走線(8-3)、Q端走線(8-4)、Clk走線(8-5)，VCC走線(8-1)、GND走線(8-2)、D端走線(8-3)、Q端走線(8-4)、Clk走線(8-5)分別與D觸發器(8-6)的電源正端、電源負端、Clk端、D觸發端和Q輸出端電連接；所述的陣列頂面單元(10)包括左右兩塊金屬結構(4)，左右兩塊金屬結構(4)之間有間隔，間隔之間固定Pin管(1)，Pin管(1)的陽極與帶有過孔(5)的金屬結構(4)連接，Pin管(1)的陰極與連接有帶有過孔(5)的金屬結構(4)連接電源正端VCC和電源負端GND的金屬結構(4)連接，由底層的過孔(5)通過引線和端口限流電阻(2)連接到DAC模塊(9)的輸出端。

2.根據權利要求1所述的一種可重構電磁超表面偏置方法，其特征是：所述的VCC走線(8-1)、GND走線(8-2)、Clk走線(8-5)延伸至陣列底面單元(8)邊界，在周期延拓過程中與相鄰單元的相同走線連接，實現整個陣面的走線共用。

3.根據權利要求1所述的一種可重構電磁超表面偏置方法，其特征是：所述的D端走線(8-3)和Q端走線(8-4)在陣列頂面單元(10)周期延拓過程中與相鄰單元的相同走線交錯連接，實現數據串并轉換。

4.根據權利要求1所述的一種可重構電磁超表面偏置方法，其特征是：所述的DAC模塊(9)在陣列的縱行或橫行一側，第一縱行或橫行包括一個DAC模塊(9)，第一縱行或橫行的一個DAC模塊(9)與一個端口限流電阻(2)電連接。

5.根據權利要求1所述的一種可重構電磁超表面偏置方法，其特征是：所述的陣列頂面單元(10)至少由16*16的陣列組成，每一個16*16的陣列包括16根數據線(3)。

6.根據權利要求1所述的一種可重構電磁超表面偏置方法，其特征是：所述的DAC模塊(9)輸出電壓為Vout = VD-Ipin*R2-Vpin，式中VD為D觸發器(8-6)的高電平，IPin為Pin管(1)的導通電流,R2為限流電阻(2)的電阻，Vpin為Pin管(1)的管壓降。

7.根據權利要求1所述的一種可重構電磁超表面偏置方法，其特征是：所述的陣列頂面單元(10)包括Pin管(1)、實現電磁功能的金屬結構(4)和Pin管負極走線(11)，Pin管負極走線(11)延伸至單元邊界，在單元周期延拓的過程中與其他單元的相同走線相連，實現一列Pin管負極并接，并最終通過一個限流電阻(2)與DAC模塊(9)相連，Pin管(1)正極通過金屬結構(4)中的通孔與底面Q端走線(8-4)相連，實現D觸發器(8-6)對Pin管(1)的控制。

8.根據權利要求1所述的一種可重構電磁超表面偏置方法，其特征是：r所述的可重構電磁超表面單元上每個Pin管（1）或串接一個端口限流電阻（2），端口限流電阻（2）與D觸發器的Q端子電連接，將Pin管（1）的負極并聯接出與GND電連接。