[發明專利]一種單層或少層二硫化鎢納米材料的制備方法有效
| 申請號： | 202110277826.2 | 申請日： | 2021-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN112811469B | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發明（設計）人： | 黃劍鋒;羅曉敏;曹麗云;李嘉胤;王瑜航;魏世英;李心誠 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | C01G41/00 | 分類號： | C01G41/00 |
| 代理公司： | 西安眾和至成知識產權代理事務所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 張震國 |
| 地址： | 710021*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單層 少層二 硫化 納米 材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單層或少層二硫化鎢納米材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟一：將2.38～4.76g六氯化鎢加入到30～60mL的乙醇溶液中磁力攪拌至完全溶解形成黃色的澄清溶液A；
步驟二：在溶液A中加入2.25～9.02g硫代乙酰胺攪拌均勻形成混合溶液；
步驟三：將上述混合溶液轉移至100mL聚四氟乙烯反應釜進行均相反應，反應溫度為120～160℃，反應時間為4～24h，反應結束后自然冷卻至室溫；
步驟四：打開反應釜，取出產物依次采用無水乙醇和去離子水洗滌并離心分離后置于溫度為-40～-70℃，真空度為10～40Pa冷凍干燥機內干燥得到單層或少層二硫化鎢納米材料。
2.根據權利要求1所述的單層或少層二硫化鎢納米材料的制備方法，其特征在于：所述步驟一六氯化鎢的濃度為0.2mol/L。
3.根據權利要求1所述的單層或少層二硫化鎢納米材料的制備方法，其特征在于：所述步驟一磁力攪拌速度為300～800r/min，攪拌時間15～60min。
4.根據權利要求1所述的單層或少層二硫化鎢納米材料的制備方法，其特征在于：所述步驟二加入的硫代乙酰胺與六氯化鎢的摩爾比為5～10：1。
5.根據權利要求1所述的單層或少層二硫化鎢納米材料的制備方法，其特征在于：所述步驟四采用無水乙醇和去離子水重復洗滌4～6次。
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