[發明專利]一種藍綠光增強型的硅基雪崩光電二極管

在審

• 申請號: 202110277300.4
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113054048A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 韓筱君;湯佳麗;程朝南;劉宴京;何曉穎
• 申請（專利權）人: 北京郵電大學
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/0216;H01L31/0336;H01L31/0352
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種藍綠光增強型的硅基雪崩光電二極管，所述雪崩光電二極管陣列為SACM型APD，包括硅表面吸收層，所述硅表面吸收層兩側為歐姆接觸層，所述硅表面吸收層下面依次為：場控層、倍增層非耗盡層，且所述場控層、倍增層和非耗盡層依次連接，所述硅表面吸收層上面為二維類材料，所述二維類材料兩側之上連接有第一電極，所述非耗盡層連接有第二電極，所述二維類材料之上與兩第一電極之間鋪有藍綠光波段的增透膜。

2.根據權利要求1所述的藍綠光增強型的硅基雪崩光電二極管，其特征在于，所述硅表面吸收層為π型硅，低摻雜P型；所述場控層為P型硅；所述倍增層為π型硅，低摻雜P型；所述非耗盡層為N+型硅；所述二維類材料具個體分析是否需要摻雜。

3.根據權利要求1所述的基于藍綠光增強型的硅基雪崩光電二極管，其特征在于，所述二維類材料與所述硅表面吸收層組成的異質結共同成為雪崩光電二極管的吸收層。

4.根據權利要求1所述的基于藍綠光增強型的硅基雪崩光電二極管，其特征在于，吸收層位于器件的表層，形成倒裝結構，從而使入射的藍綠光波段能夠被充分的吸收。

5.根據權利要求1所述的基于藍綠光增強型的硅基雪崩光電二極管，其特征在于，所述吸收層上還覆有增透膜。

6.根據權利要求1所述的基于藍綠光增強型的硅基雪崩光電二極管，所述非耗盡層的面積小于倍增層的面積。

7.根據權利要求1所述的藍綠光增強型的硅基雪崩光電二極管，所述結構兩側覆有二氧化硅絕緣層，以減少漏電流。