[發明專利]一種圖形互補復合襯底、制備方法及LED外延片

在審

• 申請號: 202110276193.3
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113066908A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 張鵬輝;王子榮;羅凱;陳薪安;康凱
• 申請（專利權）人: 廣東中圖半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種圖形互補復合襯底的制備方法，其特征在于，包括：

提供一平片基底；

利用第一掩膜版對所述平片基底進行圖形化，在所述平片基底的第一表面形成多個第一圖形微結構；

在所述平片基底的第一表面形成一層異質材料層；

利用第二掩膜版對所述異質材料層進行圖形化，形成多個第二圖形微結構；其中，所述第一圖形微結構和所述第二圖形微結構分別為凸起微結構或凹陷微結構；所述第一圖形微結構和所述第二圖形微結構在所述平片基底的第一表面的垂直投影相互不交疊。

2.根據權利要求1所述的圖形互補復合襯底的制備方法，其特征在于，利用第一掩膜版對所述平片基底進行圖形化，在所述平片基底的第一表面形成多個第一圖形微結構，包括：

在所述平片基底的第一表面形成第一光刻膠層；

利用所述第一掩膜版對所述第一光刻膠層進行曝光并顯影，形成第一光刻膠掩膜；

通過所述第一光刻膠掩膜對所述平片基底的第一表面進行蝕刻，形成所述多個第一圖形微結構；

利用第二掩膜版對所述異質材料層進行圖形化，形成多個第二圖形微結構，包括：

在所述異質材料層的第二表面形成第二光刻膠層；

利用所述第二掩膜版對所述第二光刻膠層進行曝光并顯影，形成第二光刻膠掩膜；

通過所述第二光刻膠掩膜對所述異質材料層進行蝕刻，形成所述多個第二圖形微結構；

其中，所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層分別為正性光刻膠或負性光刻膠，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版分別包括多個遮光圖形或多個開口圖形。

3.根據權利要求2所述的圖形互補復合襯底的制備方法，其特征在于，所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層均采用正性光刻膠或負性光刻膠；所述第一圖形微結構和所述第二圖形微結構均為凸起微結構或凹陷微結構；所述第一掩膜版復用為所述第二掩膜版；

利用所述第二掩膜版對所述第二光刻膠層進行曝光并顯影，形成第二光刻膠掩膜，包括：

將所述第一掩膜版相對所述平片基底進行移位；

利用移位后的所述第一掩膜版對所述第二光刻膠層進行曝光并顯影，形成第二光刻膠掩膜。

4.根據權利要求2所述的圖形互補復合襯底的制備方法，其特征在于，利用第一掩膜版對所述平片基底進行圖形化，在所述平片基底的第一表面形成多個第一圖形微結構之后，還包括：

利用濃硫酸和雙氧水的混合溶液以及去離子水，依次對圖形化的所述平片基底的第一表面進行清洗并干燥處理。

5.根據權利要求1所述的圖形互補復合襯底的制備方法，其特征在于，所述第二圖形微結構為凸起微結構；所述第二圖形微結構的底面與所述第一圖形微結構的底面位于同一平面。

6.根據權利要求1所述的圖形互補復合襯底的制備方法，其特征在于，所述第一圖形微結構為凸起微結構；令第一平面垂直所述平片基底的第一表面，第一方向垂直所述平片基底的第一表面，所述第一圖形微結構與所述第二圖形微結構在所述第一平面上的垂直投影在所述第一方向上至少部分交疊。

7.根據權利要求1所述的圖形互補復合襯底的制備方法，其特征在于，所述多個第一圖形微結構和所述多個第二圖形微結構在所述平片基底的第一表面的垂直投影沿行和/或列呈周期排布。

8.根據權利要求1所述的圖形互補復合襯底的制備方法，其特征在于，所述多個第一圖形微結構在所述平片基底的第一表面的垂直投影呈均勻排布，和/或，所述多個第二圖形微結構在所述平片基底的第一表面的垂直投影呈均勻排布。

9.根據權利要求1所述的圖形互補復合襯底的制備方法，其特征在于，所述凸起微結構和所述凹陷微結構的形狀包括圓柱狀、圓錐狀、圓臺狀多棱柱狀、多棱錐狀、多棱臺狀、球缺狀中的至少一種，或者，所述凸起微結構和所述凹陷微結構分別為條形凸起和條形凹陷。