[發明專利]三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 202110275389.0
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113161362B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 楊盛瑋
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11548
• 分類號: H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11575;H01L27/11578;H01L21/768
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 劉戀;張穎玲

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

第一襯底，包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于承載存儲陣列；

第一介質層，覆蓋所述第一襯底的第一表面；

焊盤結構，貫穿所述第一襯底的第一表面和第二表面、以及所述第一介質層；其中，所述焊盤結構與所述三維存儲器的控制電路電連接；

至少兩個隔離結構，貫穿所述第一襯底的第一表面和第二表面、以及所述第一介質層；

其中，沿平行于所述第一襯底的第一方向，所述焊盤結構位于第一個所述隔離結構和第二個所述隔離結構之間。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，

在垂直于所述第一方向和所述第一襯底的平面內，所述焊盤結構的投影，位于所述隔離結構的投影內。

3.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，

所述焊盤結構包括：沿垂直于所述第一襯底的第二方向并列排布的第一導電層和第一接觸部；其中，所述第一導電層，位于所述第一襯底的第二表面上；所述第一接觸部，貫穿所述第一襯底的第一表面和第二表面、以及至少部分所述第一介質層。

4.根據權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，

所述隔離結構包括：沿所述第二方向并列排布的第二導電層和第二接觸部；其中，所述第二導電層，位于所述第一襯底的第二表面上；所述第二接觸部，貫穿所述第一襯底的第一表面和第二表面、以及至少部分所述第一介質層；

所述三維存儲器還包括：保護層，覆蓋所述第一襯底的第二表面，具有第一類開口和至少兩個第二類開口；其中，所述第一類開口顯露所述第一導電層，所述第二類開口顯露所述第二導電層；

其中，沿所述第一方向，所述第二導電層的中心與所述第一接觸部之間的間距，大于所述第二接觸部的中心與所述第一接觸部的中心之間的間距。

5.根據權利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

第二襯底，用于承載所述控制電路；

第二介質層，位于所述第二襯底上，覆蓋所述控制電路；

所述焊盤結構，包括：

第一互連層，位于所述第一介質層中；其中，沿所述第二方向，所述第一接觸部位于所述第一導電層和所述第一互連層之間；

第三互連層，位于所述第二介質層中，并與所述第一互連層接觸；其中，所述第三互連層的延伸方向平行于所述第二襯底所在平面，所述第一接觸部向所述第二襯底所在平面的投影，位于所述第三互連層向所述第二襯底所在平面的投影內。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器，其特征在于，所述隔離結構還包括：

第二互連層，位于所述第一介質層中；其中，沿所述第二方向，所述第二接觸部位于所述第二導電層和所述第二互連層之間；

第四互連層，位于所述第二介質層中，并與所述第二互連層接觸；其中，所述第四互連層的延伸方向平行于所述第二襯底所在平面。

7.根據權利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，所述第二接觸部包括：

第二接觸柱，貫穿所述第一襯底的第一表面和所述第二表面，包括：沿所述第二方向并列排布的第一子接觸柱和第二子接觸柱；

其中，所述第一子接觸柱，位于所述第二導電層和所述第二子接觸柱之間；所述第一子接觸柱的組成材料，不同于所述保護層的組成材料。