[發明專利]外延片處理方法、外延片和Micro-LED陣列

在審

• 申請號: 202110275337.3
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113130307A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 劉召軍;劉時彪;莫煒靜;管云芳
• 申請（專利權）人: 深圳市思坦科技有限公司
• 主分類號: H01L21/263
• 分類號: H01L21/263;H01L33/00;H01L33/14;H01L27/15
• 代理公司: 深圳中細軟知識產權代理有限公司 44528
• 代理人: 孫凱樂

1.一種外延片處理方法，應用于外延片，所述外延片的結構自下而上包括襯底、N型氮化鎵層和P型氮化鎵層，其特征在于，所述方法包括：

在初始外延片上從所述P型氮化鎵層到襯底的方向上刻蝕溝槽，暴露出部分所述N型氮化鎵層，得到第一外延片；

對所述第一外延片進行第一次清洗干燥；

在所述第一外延片的所述P型氮化鎵層上沉積鈍化層作為硬質掩膜，得到第二外延片；

對所述第二外延片進行等離子體轟擊，以打斷N型氮化鎵層中鎵與氮之間的化學鍵，以使氮原子從N型氮化鎵層中脫附，留下氮空位，得到第三外延片；

去除所述第三外延片中的硬質掩膜并進行第二次清洗干燥。

2.根據權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，所述外延片的結構還包括：緩沖層、不摻雜的氮化鎵層、多層量子阱層；

所述外延片的結構自下而上依次為：襯底、緩沖層、不摻雜的氮化鎵層、N型氮化鎵層、多層量子阱層和P型氮化鎵層。

3.根據權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，所述在初始外延片上從所述P型氮化鎵層到襯底的方向上刻蝕溝槽，包括：

采用濕法刻蝕、反應離子刻蝕或電感耦合等離子體刻蝕中的一種刻蝕方式在初始外延片上從所述P型氮化鎵層到襯底的方向上刻蝕溝槽。

4.根據權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，所述第一次清洗干燥包括：

將所述第一外延片分別在丙酮、異丙醇溶液中浸泡；

采用去離子水沖洗所述第一外延片；

采用氮氣吹掃所述第一外延片，在熱板上對所述第一外延片進行加熱。

5.根據權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，所述在所述第一外延片的所述P型氮化鎵層上沉積鈍化層作為硬質掩膜，包括：

采用等離子體增強化學氣相沉積技術在所述第一外延片的P型氮化鎵層一側沉積二氧化硅鈍化層或氮化硅鈍化層作為硬質掩膜；

采用光刻技術將所述暴露出的部分N型氮化鎵層上沉積的硬質掩膜去除。

6.根據權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，所述對所述第二外延片進行等離子體轟擊，包括：

將所述第二外延片放入清腔后的反應離子刻蝕機的腔體中，采用惰性元素的等離子體進行轟擊。

7.根據權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，所述去除所述第三外延片中的硬質掩膜，包括：

將所述第三外延片放入稀鹽酸中浸泡，去除由所述等離子體轟擊帶來的污染物；

將所述第三外延片放入緩沖氧化物刻蝕液中浸泡，去除硬質掩膜，得到第四外延片。

8.根據權利要求7所述的外延片處理方法，其特征在于，所述第二次清洗干燥包括：

將所述第四外延片分別在丙酮、異丙醇溶液中分別浸泡；

采用去離子水沖洗所述第四外延片；

采用氮氣吹掃所述第四外延片。

9.一種外延片，其特征在于，所述外延片是采用權利要求1～8中任意一項的所述處理方法處理得到。

10.一種Micro-LED陣列，其特征在于，所述Micro-LED陣列是由權利要求9中的所述外延片制備得到。