[發明專利]發光裝置和包括該發光裝置的設備

在審

• 申請號: 202110274756.5
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113497196A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 樸埈佑;樸洺禛;李秀浩;高崙赫;金成云;南敏基;河在國
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 張燕;樸圣潔

1.一種發光裝置，包括：

第一電極；

面對所述第一電極的第二電極；

在所述第一電極和所述第二電極之間且包括量子點的發射層；

在所述第一電極和所述發射層之間的空穴傳輸區；以及

在所述發射層和所述空穴傳輸區之間且包括電子傳輸材料的電子吸收層，

其中所述電子傳輸材料包括金屬、金屬氧化物、含金屬元素的材料或其任意組合。

2.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子傳輸材料包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、過渡金屬、它們的一種或多種金屬氧化物、堿金屬復合物、堿土金屬復合物或其任意組合。

3.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子傳輸材料包括Yb、Ag、ZnO、TiO₂、WO₃、SnO₂、ITO、Mg摻雜的ZnO、Al摻雜的ZnO、Ga摻雜的ZnO、In摻雜的ZnO、Al摻雜的TiO₂、Ga摻雜的TiO₂、In摻雜的TiO₂、Al摻雜的WO₃、Ga摻雜的WO₃、In摻雜的WO₃、Al摻雜的SnO₂、Ga摻雜的SnO₂、In摻雜的SnO₂、Liq或其任意組合。

4.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子傳輸材料包括Yb、Ag、ITO、ZnO、Mg摻雜的ZnO、Liq或其任意組合。

5.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子吸收層由所述電子傳輸材料組成。

6.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述空穴傳輸區包括空穴傳輸材料，并且

所述空穴傳輸材料和所述電子傳輸材料彼此不同。

7.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子吸收層在所述空穴傳輸區和所述發射層之間的界面處。

8.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述空穴傳輸區包括空穴注入層、空穴傳輸層、緩沖層、發射輔助層、電子阻擋層或其任意組合，并且

所述電子吸收層在所述發射層和所述空穴傳輸區中包括的層中與所述第二電極鄰近的層之間的界面處。

9.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述空穴傳輸區包括空穴傳輸層，并且

所述電子吸收層在所述空穴傳輸層和所述發射層之間的界面處。

10.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述電子吸收層的厚度為0.01nm至20nm。

11.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述發射層中的所述量子點包括第II-VI族半導體化合物、第III-VI族半導體化合物、第III-V族半導體化合物、第IV-VI族半導體化合物、第IV族元素或化合物、第I-III-VI族半導體化合物或其任意組合。

12.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述發射層中的所述量子點包括第III-V族半導體化合物。