[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202110274395.4
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113451267A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 黃則堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L23/528;H01L25/18;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一第一半導體結構，包括多個第一導電特征，所述導電特征鄰近該第一半導體結構的一上表面處設置；

一第二半導體結構，位在該第一半導體結構上，且包括多個第二導電特征，該第二導電特征鄰近該第二半導體結構的一下表面處設置；以及

一連接結構，位在該第一半導體結構與該第二半導體結構之間；

其中，該連接結構包括一連接層以及多個第一多孔夾層，該連接層電性耦接到該多個第一導電特征與該多個第二導電特征，該多個第一多孔夾層位在該多個第一導電特征與該多個第二導電特征之間，其中該多個第一多孔夾層的一孔隙率介于大約25％到大約100％之間。

2.如權利要求1所述的半導體元件，還包括多個多孔介電層，位在該多個第一多孔夾層的側壁與下表面上。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其中，該連接結構包括一連接隔離層，該連接隔離層位在該第一半導體結構與該連接結構之間，其中該連接層與該多個第一多孔夾層位在該連接隔離層中。

4.如權利要求3所述的半導體元件，其中，該連接隔離層包括一下隔離層、一中間隔離層以及一上隔離層，該下隔離層位在該第一半導體結構的該上表面上，該中間隔離層位在該下隔離層上，該上隔離層位在該中間隔離層上。

5.如權利要求4所述的半導體元件，其中，設置該多個第一多孔夾層以便穿過該下隔離層、該中間隔離層以及該上隔離層。

6.如權利要求4所述的半導體元件，其中，該多個第一多孔夾層具有一厚度，是小于該連接隔離層的一厚度。

7.如權利要求5所述的半導體元件，還包括一第二多孔夾層，位在該上隔離層與該第二半導體結構之間。

8.如權利要求7所述的半導體元件，其中，該第二多孔夾層的一孔隙率小于該多個第一多孔夾層的該孔隙率。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其中，該第二多孔夾層的該孔隙率介于大約25％到大約50％之間。

10.如權利要求5所述的半導體元件，其中，該多個第一多孔夾層具有一寬度，是小于該多個第二導電特征的寬度。

11.如權利要求10所述的半導體元件，其中，該多個第一導電特征的寬度大于該多個第一多孔夾層的厚度。

12.如權利要求11所述的半導體元件，其中，該連接結構包括多個輔助層，位在該連接隔離層中。

13.如權利要求12所述的半導體元件，其中，該第二半導體結構包括多個保護環，位在該多個輔助層上。

14.如權利要求1所述的半導體元件，其中，該連接結構包括一連接隔離層以及多個輔助層，該連接隔離層位在該第一半導體結構與該連接結構之間，該多個輔助層位在該連接隔離層中，而該第二半導體結構包括多個保護環，位在該多個輔助層上。

15.一種半導體元件的制備方法，包括：

提供一第一半導體結構，該第一半導體結構包括多個第一導電特征，所述第一導電特征形成在鄰近該第一半導體結構的一上表面處；

形成一連接結構，該連接結構包括一連接隔離層、一連接層以及多個第一多孔夾層，該連接隔離層形成在該第一半導體結構的該上表面上，該連接層形成在該連接隔離層中，該多個第一多孔夾層形成在該多個第一導電特征上與該連接隔離層中；以及

形成一第二半導體結構，該第二半導體結構包括多個第二導電特征，所述第二導電特征形成在該多個第一多孔夾層上；

其中，該第一多孔夾層的一孔隙率介于大約25％到大約100％之間，且該連接隔離層電性耦接到該多個第一導電特征與該多個第二導電特征。