[發明專利]半導體元件結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110274391.6
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113451299A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 黃則堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L49/02;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體元件結構，包括：

一隔離結構，設置于一半導體基板中；

一柵極電極和一電阻電極，設置于該半導體基板中，其中該隔離結構設置于該柵極電極和該電阻電極之間，且該隔離結構離該電阻電極比離該柵極電極更近；以及

一源/漏極區域，設置于該半導體基板中及該柵極電極和該隔離結構之間，其中該源/漏極區域電性連接至該電阻電極。

2.如權利要求1所述的半導體元件結構，還包括：

一井區，設置于該半導體基板中，其中該電阻電極設置于該井區之上。

3.如權利要求2所述的半導體元件結構，其中，該井區鄰接該隔離結構。

4.如權利要求1所述的半導體元件結構，還包括：

一介電層，設置于該半導體基板之上，其中該介電層的一第一部分延伸于該柵極電極和該半導體基板之間。

5.如權利要求4所述的半導體元件結構，其中，該介電層的一第二部分延伸于該電阻電極和該半導體基板之間。

6.如權利要求1所述的半導體元件結構，還包括：

一內連線結構，電性連接該源/漏極區域至該電阻電極。

7.如權利要求6所述的半導體元件結構，另包含一層間介電層，設置于該半導體基板之上，其中該內連線結構包括：

一第一導電通孔，設置于該層間介電層中；

一第二導電通孔，設置于該層間介電層中；以及

一導電層，設置于該層間介電層之上，且電性連接該第一導電通孔和該第二導電通孔。

8.一種半導體元件結構，包括：

一柵極電極和一電阻電極，設置于一半導體基板中，其中該柵極電極的一摻雜劑濃度大于該電阻電極的一摻雜劑濃度；

一隔離結構，設置于該半導體基板中，其中該隔離結構隔開該柵極電極和該電阻電極；以及

一源/漏極區域，設置于該半導體基板中及該柵極電極和該隔離結構之間，其中該源/漏極區域電性連接至該電阻電極。

9.如權利要求8所述的半導體元件結構，其中，該電阻電極的一寬度大于該柵極電極的一寬度。

10.如權利要求8所述的半導體元件結構，還包括：

一井區，設置于該半導體基板中，其中該電阻電極設置于該井區之上，且該井區的一導電類型與該源/漏極區域的一導電類型相同。

11.如權利要求10所述的半導體元件結構，還包括：

一介電層，設置于該半導體基板之上，其中該柵極電極通過該介電層的一第一部分與該半導體基板分離，且該電阻電極通過該介電層的一第二部分與該井區分離。

12.如權利要求8所述的半導體元件結構，另包含一內連線結構，電性連接該源/漏極區域至該電阻電極。

13.如權利要求12所述的半導體元件結構，還包括：

一層間介電層，設置于該半導體基板之上；以及

一第一導電通孔，設置于該層間介電層中；

一第二導電通孔，設置于該層間介電層中；以及

一導電層，設置于該層間介電層之上，且電性連接該第一導電通孔和該第二導電通孔。

14.一種半導體元件結構的形成方法，包括：

形成一隔離結構于一半導體基板中；

凹陷該半導體基板以形成一第一開口和一第二開口，其中該第一開口和該第二開口位于該隔離結構的相對兩側上，且該第二開口的一寬度大于該第一開口的一寬度；

形成一電極層于該半導體基板之上，其中該電極層填充該第一開口和該第二開口；

研磨該電極層以形成一柵極電極于該第一開口中及一電阻電極于該第二開口中；以及

形成一源/漏極區域于該半導體基板中，其中該源/漏極區域位于該柵極電極和該隔離結構之間。