[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110274251.9
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113451203A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁順鑫;張根育;黃鴻儀;蔡純怡;黃俊賢;張志維;張旭凱;朱家宏;林耕竹;王菘豊
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 韓旭;黃艷

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

形成一無襯墊層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于一基板上的一鈷導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上；

沉積一鈷層于該無襯墊層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上；

暴露該無襯墊層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至一熱處理；以及

自該無襯墊層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)移除該鈷層。