[發明專利]量子點材料、圖案化量子點膜層、量子點器件和制作方法在審
| 申請號: | 202110274247.2 | 申請日: | 2021-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN113046058A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 李卓 | 申請(專利權)人: | 北京京東方技術開發有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/02 | 分類號: | C09K11/02;C09K11/56;C09K11/66;C09K11/70;C09K11/88;H01L51/50;H01L51/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 量子 材料 圖案 點膜層 器件 制作方法 | ||
本發明公開了一種量子點材料、圖案化量子點膜層、量子點器件和制作方法,以改善現有技術在制作圖案化量子點膜層時,存在圖案化顯影精確度低,膜層厚度不均勻的問題。所述量子點材料,包括:量子點本體,第一連接體,以及含疊氮體;所述第一連接體一端與所述量子點本體連接,另一端與所述含疊氮體連接,以將所述含疊氮體與所述量子點本體連接;所述含疊氮體包括:其中,A為氫原子或鹵素原子,B為氫原子或鹵素原子,C為氫原子或鹵素原子,D為氫原子或鹵素原子。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,尤其涉及一種量子點材料、圖案化量子點膜層、量子點器件和制作方法。
背景技術
量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)作為最具有潛力的下一代自發光顯示技術,與有機發光顯示技術先比,QLED具有能耗更低、色純度更高、色域更廣等突出優勢,而QLED亞像素區域的精確制備是實現高分辨率顯示器件的前提。
發明內容
本發明提供一種量子點材料、圖案化量子點膜層、量子點器件和制作方法,以改善現有技術在制作圖案化量子點膜層時,存在圖案化顯影精確度低,膜層厚度不均勻的問題。
本發明實施例提供一種量子點材料,包括:量子點本體,第一連接體,以及含疊氮體;所述第一連接體一端與所述量子點本體連接,另一端與所述含疊氮體連接,以將所述含疊氮體與所述量子點本體連接;所述含疊氮體包括以下結構:
其中,A為氫原子或鹵素原子,B為氫原子或鹵素原子,C為氫原子或鹵素原子,D為氫原子或鹵素原子。
在一種可能的實施方式中,所述第一連接體包括:第一連接結構,第二連接結構,以及第三連接結構;所述第一連接結構一端與所述量子點本體連接,另一端與所述第二連接結構連接,所述第二連接結構的另一端與所述第三連接結構連接,所述第三連接結構的另一端與所述含疊氮體連接。
在一種可能的實施方式中,所述第一連接結構包括以下之一:
-OH-;
-SH-;
-COOH-;
-NH2-;
-P-;
-PO-;
-R-OH-;
-R-SH-;
-R-COOH-;
-R-NH2-;
-R-P-;
-R-PO-;
其中,R表示烷烴類基團,或者連接有酯基的烷烴基團,或者連接有酰胺鍵的烷烴基團。
在一種可能的實施方式中,所述第三連接結構包括以下之一:
在一種可能的實施方式中,所述第二連接結構包括以下之一或組合:
其中,n≥0,且n為正整數,x≥1。
本發明實施例還提供一種采用如本發明實施例提供的所述量子點材料形成的圖案化量子點膜層,所述圖案化量子點膜層包括:位于襯底基板一側的多個圖案部,所述圖案部包括:
多個量子點本體以及連接體;所述連接體包括一端與一所述量子點本體連接的第一連接體,以及一端與另一所述量子點本體連接的第二連接體,以及連接所述第一連接體另一端和所述第二連接體另一端的第三連接體;所述第三連接體包括如下結構:
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