[發明專利]一種空心Cu7 在審
| 申請號: | 202110273772.2 | 申請日: | 2021-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN112850779A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 蔡稱心;孫宇杰;胡耀娟;喬玲;吳萍 | 申請(專利權)人: | 南京師范大學 |
| 主分類號: | C01G3/12 | 分類號: | C01G3/12;B82Y5/00;B82Y40/00;A61K41/00;A61K31/704;A61K9/00;A61K47/32;A61P35/00 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 孫斌 |
| 地址: | 210024 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 空心 cu base sub | ||
本發明公開了一種空心Cu7S4納米立方結構及其制備方法和應用,該空心Cu7S4納米立方結構的邊長約為70~80nm,形貌為空心納米立方結構;其制備方法為:將聚乙烯吡咯烷酮溶于水中,然后加入乙酸銅、氫氧化鈉、抗壞血酸攪拌,隨后油浴加熱,加入硫化鈉持續反應,待反應完全后將產物離心洗滌分散。本發明制備的空心Cu7S4納米立方結構,具有良好的穩定性和生物相容性,在近紅外光區900~1100nm處具有較大的吸收,且光熱轉換效率高,為腫瘤細胞的光熱治療提供了條件,并且其制備方法簡單,條件溫和,環境友好,同時本發明材料由于表面存在的大的空穴,可以更加高效地應用在制備治療癌癥的光熱治療試劑中。
技術領域
本發明屬于納米無機材料,具體涉及一種空心Cu7S4納米立方結構及其制備方法和應用。
背景技術
銅的硫族化合物(Cu2-xS)作為一種具有獨特電子,光學和化學性質的重要半導體,是一種很有前景的材料,在傳感器,太陽輻射吸收器,催化劑,納米級開關等許多領域具有潛在的應用價值。目前,已有幾種方法,如溶劑熱微波法,溶劑熱,水熱,化學轉化和超聲處理方法,用于合成Cu2-xS納米粒子。Cu2-xS納米粒子(Cu2-xS NPs),是具有雙重診斷和治療應用的新興納米平臺,由于其多功能性和適應性,正在這個“癌癥戰爭”時代被廣泛研究。Cu2-xS NPs半導體的多功能特性已經被廣泛研究。它們的出現,作為癌癥治療學的很有希望的適應性藥劑。因為他們具有不同的診斷和治療潛力,在各種無機材料中,由于生物相容性,低毒性和低成本,這種納米粒子引起了最大的關注。但該材料在生物代謝方面的能力還有待增強。
發明內容
發明目的:針對現有光熱納米材料的有毒性,穩定性低和靶向性差等問題,本發明提供一種空心Cu7S4納米立方結構,該空心Cu7S4納米立方結構具有優異光熱轉換性能,靶向性好,生物毒性低,成本低;有效解決了細胞毒性及光熱轉換效率低等問題。
本發明還提供一種空心Cu7S4納米立方結構的制備方法和應用。
技術方案:為了實現上述目的,本發明所述一種空心Cu7S4納米立方結構,所述的Cu7S4為空心納米立方結構,其中銅與硫的摩爾比為7:4,是由前驅體Cu2O經過部分氧化成CuO,并最終與S2-發生陰離子交換后得到最終產物Cu7S4。
其中,所述空心Cu7S4納米立方結構的邊長為70~80nm。
其中,所述空心Cu7S4納米立方結構的紫外光譜在900~1100nm處存在特征吸收寬峰。
本發明所述的空心Cu7S4納米立方結構的制備方法,包括如下步驟:將聚乙烯吡咯烷酮溶于去離子水中,依次加入乙酸銅、氫氧化鈉溶液、抗壞血酸AA攪拌,隨后油浴加熱,在攪拌狀態下加入硫化鈉反應,反應完全后,將產物離心取下層沉淀洗滌,分散到去離子水中,即得空心Cu7S4納米立方結構。
其中,所述聚乙烯吡咯烷酮按比例2.5~5g溶于400-500mL去離子水中分子量為10000或者24000。
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