[發(fā)明專利]一種基于脈沖激光的模擬電路單粒子瞬態(tài)等效方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110273436.8 | 申請日： | 2021-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN113156301A | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 于新;陸嫵;王信;李小龍;劉墨寒;孫靜;李豫東;郭旗 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | G01R31/316 | 分類號： | G01R31/316 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 830011 新疆維吾爾*** | 國省代碼： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 脈沖 激光 模擬 電路 粒子 瞬態(tài) 等效 方法 | ||
1.一種基于脈沖激光的模擬電路單粒子瞬態(tài)等效方法，其特征在于，包括以下步驟；
a、獲取器件參數(shù)，鈍化層、有源區(qū)、埋氧層、襯底結(jié)構(gòu)的尺寸、摻雜分布通過標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝庫查詢、器件解剖及組分分析的方式獲取，激光在鈍化層中的透射系數(shù)、敏感體積材料中的吸收系數(shù)通過公開文獻(xiàn)查詢的方式獲??；
b、結(jié)合單粒子效應(yīng)中的電荷收集機(jī)制，確定器件中單粒子敏感體積的位置和尺寸，并確定有效電荷收集深度；
c、建立激光傳輸模型，確定激光波長、光斑尺寸、激光能量試驗(yàn)條件，獲得激光等效LET與激光透射深度關(guān)系，通過SRIM或GEANT4開源軟件計算重離子在不同透射深度下的LET值；
d、基于重離子電離、激光光電效應(yīng)的物理機(jī)制，進(jìn)一步獲得沿重離子徑跡、激光傳輸路徑產(chǎn)生的電荷數(shù)量；
e、采用有效電荷收集深度下產(chǎn)生等量電荷的原則，基于器件模型、重離子LET與射程的關(guān)系，計算重離子在有效電荷收集深度下產(chǎn)生的電荷數(shù)量；
f、基于重離子在有效電荷收集深度下產(chǎn)生的電荷數(shù)量，通過器件模型中敏感體積的尺寸、重離子LET-射程、激光等效LET-透射深度的匹配關(guān)系，獲得特定激光波長、光斑尺寸條件下激光能量，即與重離子等效的激光試驗(yàn)條件。
2.如權(quán)利要求1所述一種基于脈沖激光的模擬電路單粒子瞬態(tài)等效方法，其特征在于，所述步驟c具體為：
當(dāng)激光入射Si時，激光強(qiáng)度I(z)沿軸向距離z的衰減可表示為，
I0是入射激光強(qiáng)度；Elaser為激光能量；S為激光束斑面積；τ為激光持續(xù)時間；α、β為SPA、TPA吸收系數(shù)。
ω0為激光強(qiáng)度有效半徑。
3.如權(quán)利要求1所述一種基于脈沖激光的模擬電路單粒子瞬態(tài)等效方法，其特征在于，所述步驟d中電荷數(shù)量的計算方式為：
對于1064nm波長的激光而言，入射Si產(chǎn)生的電荷量表示為，
q為電子電量，ELaser為激光Si產(chǎn)生一個電子-空穴對的平均能量，ρ為Si密度，z為激光在Si中的透射深度，當(dāng)重離子入射Si產(chǎn)生的電荷量表示為：
EHI為重離子入射產(chǎn)生一個電子-空穴對的平均能量。
4.如權(quán)利要求1所述一種基于脈沖激光的模擬電路單粒子瞬態(tài)等效方法，其特征在于，所述步驟e具體為：
Depth為有效電荷收集深度。
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