[發明專利]半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202110271556.4
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN115084139A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 裴俊植;高建峰;劉衛兵;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L29/06
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 董李欣

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

半導體基底；

位于所述半導體基底上的復數條金屬線形功能部；

位于所述金屬線形功能部之間的空氣隙；

其中，所述空氣隙由氮化物構成的底壁、側壁和頂壁共同包圍形成，并且所述頂壁具有被金屬間介電層封堵的開口。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：

所述氮化物為氮化硅。

3.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底，在所述半導體基底上形成復數條金屬線形功能部；

在所述金屬線形功能部的表面和所述線形功能部之間沉積第一氮化物層；

沉積犧牲模層以填充所述金屬線形功能部之間的空間；

回刻犧牲模層以露出所述第一氮化物層；

沉積第二氮化物層；

圖形化所述第二氮化物層以將所述第二氮化物層開口，從而露出至少部分犧牲模層的表面；

去除至少部分所述犧牲模層；

封堵所述開口以形成空氣隙。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于：

所述圖形化包括，

在第二氮化物層的表面沉積金屬間介電材料形成金屬間介電層；

通過光刻-刻蝕工藝將金屬間介電層和第二氮化物層圖形化以形成所述開口。

5.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于：

所述封堵所述開口，是沉積金屬間介電材料以封堵所述開口。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于：

所述沉積金屬間介電材料，采用臺階覆蓋率先低后高的沉積方式。

7.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于：

所述犧牲模層采用旋涂硬掩模組合物(Spin-on Hardmask，SOH)或旋涂碳(Spin-onCarbon，SOC)。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于：

所述去除至少部分所述犧牲模層，采用灰化工藝。

9.根據權利要求3-8任意一項所述的制作方法，其特征在于：

所述第一和第二氮化物層為氮化硅層。

10.一種電子設備，包括如權利要求1至2中任意一項所述的半導體結構，或者，包括權利要求3-8任意一項所述的制造方法制備得到的半導體結構。