[發(fā)明專利]一種高側(cè)功率管的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110271092.7
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN113035937A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張波;袁柳;喬明;齊釗
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡

1.一種高側(cè)功率管的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括P型襯底(9)、P型襯底(9)上方的N型埋層(8)，兩處P型深阱(1)和兩處N型深阱(2)交替位于P型襯底(9)和N型埋層(8)上方，從左至右依次為左側(cè)的P型深阱(1)、左側(cè)的N型深阱(2)、右側(cè)的P型深阱(1)、右側(cè)的N型深阱(2)；

左側(cè)的P型阱區(qū)(3)位于左側(cè)的P型深阱(1)內(nèi)表面，左側(cè)的N型阱區(qū)(4)位于左側(cè)的N型深阱(2)內(nèi)表面，右側(cè)的P型阱區(qū)(3)位于右側(cè)的P型深阱(1)內(nèi)表面，右側(cè)的N型阱區(qū)(4)位于右側(cè)的N型深阱(2)內(nèi)表面；左側(cè)及右側(cè)的P型阱區(qū)(3)內(nèi)都設(shè)有位于P型阱區(qū)(3)表面的P型接觸區(qū)(5)和N型接觸區(qū)(6)，且P型接觸區(qū)(5)右側(cè)與N型接觸區(qū)(6)相切；在左側(cè)的N型阱區(qū)(4)中，P型接觸區(qū)(5)和N型接觸區(qū)(6)位于N型阱區(qū)(4)表面且P型接觸區(qū)(5)的左側(cè)與N型接觸區(qū)(6)相切；在右側(cè)N型阱區(qū)(4)內(nèi)部表面僅有N型接觸區(qū)(6)；N型漂移區(qū)(7)位于右側(cè)的P型深阱(1)內(nèi)部表面以及該P(yáng)型深阱(1)內(nèi)P型阱區(qū)(3)的右側(cè)，柵氧化層(10)位于右側(cè)的P型深阱(1)上方，并部分位于N型漂移區(qū)(7)上方；一處第一氧化層(11)位于N型漂移區(qū)(7)上方，且位于柵氧化層(10)右側(cè)，多晶硅柵(12)位于柵氧化層(10)和第一氧化層(11)的上方；另一處第一氧化層(11)位于左側(cè)的P型深阱(1)和左側(cè)的N型深阱(2)交界處上方，還有一處第一氧化層(11)位于左側(cè)的N型深阱(2)和右側(cè)的P型深阱(1)交界處上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高側(cè)功率管的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：去掉左側(cè)的P型阱區(qū)內(nèi)(3)內(nèi)的N型接觸區(qū)(6)，并且在左側(cè)的N型阱區(qū)(4)內(nèi)N型接觸區(qū)(6)的左側(cè)增加與其相切的P型接觸區(qū)(5)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高側(cè)功率管的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：去掉左側(cè)的P型阱區(qū)(3)內(nèi)的N型接觸區(qū)(6)，此時器件僅有高側(cè)管的自保護(hù)結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高側(cè)功率管的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：去掉左側(cè)的N型阱區(qū)(4)內(nèi)的P型接觸區(qū)(5)，此時器件僅有隔離環(huán)對地的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高側(cè)功率管的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：去掉右側(cè)的P型深阱(1)中各結(jié)構(gòu)，僅保留隔離結(jié)構(gòu)，此時器件僅有隔離環(huán)對地的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，但是P型深阱(1)中仍然制作電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高側(cè)功率管的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：去掉左側(cè)的P型阱區(qū)(3)內(nèi)的N型接觸區(qū)(6)，并將位于左側(cè)的N型阱區(qū)(4)內(nèi)N型接觸區(qū)(6)右側(cè)的P型接觸區(qū)(5)更換到N型接觸區(qū)(6)的左側(cè)，此時器件僅有隔離環(huán)對地的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高側(cè)功率管的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：去掉右側(cè)的P型深阱(1)中各結(jié)構(gòu)，僅保留隔離結(jié)構(gòu)，此時器件僅有隔離環(huán)對地的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，但是P型深阱(1)中仍然制作電路。