[發(fā)明專利]一種晶圓貼膜設(shè)備及貼膜方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110270908.4 | 申請日: | 2021-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN113178403A | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔣志韜;韓佳梅 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州遂芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 南京中高專利代理有限公司 32333 | 代理人: | 沈雄 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市昆*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶圓貼膜 設(shè)備 方法 | ||
1.一種晶圓貼膜設(shè)備,其特征在于:包括:
置放臺(100),用于放置晶圓(1),所述晶圓(1)具有軸線(1a);
輸送單元(200),用于將貼合膜(2)輸送至所述晶圓(1)上方;以及
貼膜單元(300),包括升降機(jī)構(gòu)(3)和設(shè)置在所述升降機(jī)構(gòu)(3)上的噴閥(4),所述噴閥(4)位于所述貼合膜(2)上方,所述升降機(jī)構(gòu)(3)可驅(qū)動所述噴閥(4)靠近和遠(yuǎn)離所述晶圓(1);
其中,所述噴閥(4)包括供氣流噴向所述晶圓(1)的第一出氣口(451)和第二出氣口(461),所述第一出氣口(451)的出氣方向與所述軸線(1a)相重合,所述第二出氣口(461)環(huán)繞設(shè)置在所述第一出氣口(451)外圍,所述第二出氣口(461)的出氣方向與所述軸線(1a)具有夾角α,所述夾角α為銳角。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓貼膜設(shè)備,其特征在于:所述噴閥(4)包括閥體(41)和設(shè)置在所述閥體(41)內(nèi)的活塞筒(42),所述活塞筒(42)內(nèi)形成有第一氣道(43),所述閥體(41)和所述活塞筒(42)之間形成有第二氣道(44),所述第一氣道(43)具有所述第一出氣口(451),所述第二氣道(44)具有所述第二出氣口(461)。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓貼膜設(shè)備,其特征在于:所述閥體(41)上開設(shè)有與所述第一氣道(43)相連通的第一進(jìn)氣口(411)以及與所述第二氣道(44)相連通的第二進(jìn)氣口(412)。
4.如權(quán)利要求2所述的晶圓貼膜設(shè)備,其特征在于:所述活塞筒(42)可沿著所述軸線(1a)相對所述閥體(41)伸縮,以調(diào)節(jié)所述第二出氣口(461)的開口大小。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓貼膜設(shè)備,其特征在于:所述閥體(41)和所述活塞筒(42)之間還形成有密閉的調(diào)節(jié)腔(48),所述活塞筒(42)可沿著所述軸線(1a)方向移動以擴(kuò)大和縮小所述調(diào)節(jié)腔(48),所述閥體(41)上開設(shè)有分別與所述調(diào)節(jié)腔(48)和外部氣路相連通的第三進(jìn)氣口(414),氣流可自所述第三進(jìn)氣口(414)進(jìn)出所述調(diào)節(jié)腔(48),以控制所述調(diào)節(jié)腔(48)的擴(kuò)大或收縮。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓貼膜設(shè)備,其特征在于:所述活塞筒(42)與所述閥體(41)之間設(shè)置有彈性件(49),以限制所述活塞筒(42)在所述軸線(1a)方向上的移動。
7.如權(quán)利要求2所述的晶圓貼膜設(shè)備,其特征在于:所述噴閥(4)還包括:
第一噴嘴帽(45),可拆卸連接在所述活塞筒(42)的端部,所述第一出氣口(451)成型在所述第一噴嘴帽(45)上;以及
第二噴嘴帽(46),可拆卸連接在所述閥體(41)的端部,并與所述第一噴嘴帽(45)相對應(yīng),所述第二噴嘴帽(46)和所述第一噴嘴帽(45)之間形成所述第二出氣口(461)。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓貼膜設(shè)備,其特征在于:所述輸送單元(200)包括輸送所述貼合膜(2)的送料卷軸(5)和收料卷軸(6),所述送料卷軸(5)和所述收料卷軸(6)配合張緊所述貼合膜(2),并使所述貼合膜(2)與所述晶圓(1)相平行。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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