[發(fā)明專利]中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的裝置及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110270696.X | 申請日: | 2021-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN113046723A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱權(quán);李象遠(yuǎn) | 申請(專利權(quán))人: | 四川大學(xué) |
| 主分類號: | C23C16/34 | 分類號: | C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司: | 成都瑞創(chuàng)華盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 51270 | 代理人: | 鄧瑞;辜強(qiáng) |
| 地址: | 610065 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化學(xué) 沉積 氮化 涂層 裝置 方法 | ||
1.中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的裝置,其特征在于:包括氨氣輸送裝置、四氯化鈦輸送裝置、反應(yīng)器以及反應(yīng)器加熱裝置,所述氨氣輸送裝置與反應(yīng)器連接,所述四氯化鈦輸送裝置通過連接管與反應(yīng)器連接,所述連接管設(shè)有加熱器,所述反應(yīng)器內(nèi)放置目標(biāo)樣件;所述氨氣輸送裝置向反應(yīng)器輸送氨氣,所述四氯化鈦輸送裝置向反應(yīng)器輸送四氯化鈦,所述反應(yīng)器加熱裝置對反應(yīng)器進(jìn)行加熱,所述反應(yīng)器內(nèi)以氨氣和四氯化鈦對目標(biāo)樣件進(jìn)行沉積反應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的裝置,其特征在于:所述反應(yīng)器包括內(nèi)管和外管,所述內(nèi)管伸入外管內(nèi)部,所述內(nèi)管在外管內(nèi)的軸向長度小于外管的軸向長度,所述目標(biāo)樣件置于外管內(nèi)部未伸入內(nèi)管處,所述內(nèi)管連接氨氣輸送裝置或四氯化鈦輸送裝置中的一個(gè),所述外管連接氨氣輸送裝置或四氯化鈦輸送裝置中的另一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的裝置,其特征在于:所述內(nèi)管連接氨氣輸送裝置,所述外管連接四氯化鈦輸送裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的裝置,其特征在于:所述目標(biāo)樣件與內(nèi)管在外管內(nèi)的端部之間的距離超過3厘米。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的裝置,其特征在于:所述內(nèi)管在外管內(nèi)的端部與外管內(nèi)目標(biāo)樣件處經(jīng)反應(yīng)器加熱裝置加熱處于恒溫狀態(tài),所述內(nèi)管在外管內(nèi)的端部與外管內(nèi)目標(biāo)樣件處之間的外管內(nèi)經(jīng)反應(yīng)器加熱裝置加熱處于恒溫狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的裝置,其特征在于:所述氨氣輸送裝置通過第一混氣罐連接到反應(yīng)器,所述四氯化鈦輸送裝置通過第二混氣罐連接到反應(yīng)器,所述第二混氣罐設(shè)有加熱器,所述第一混氣罐與第二混氣罐均連接有保護(hù)氣輸送裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的裝置,其特征在于:所述保護(hù)氣輸送裝置包括依次連接的保護(hù)氣氣源罐、減壓閥、保護(hù)氣干燥器、針型閥、質(zhì)量流量控制器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的裝置,其特征在于:所述氨氣輸送裝置包括依次連接的氨氣氣源罐、減壓閥、氨氣干燥器、針型閥以及質(zhì)量流量控制器;所述四氯化鈦輸送裝置包括依次連接的載氣氣源罐、減壓閥、載氣干燥器、針型閥、質(zhì)量流量控制器以及四氯化鈦蒸發(fā)器。
9.中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的方法,其特征在于包括以下步驟:
S1:對目標(biāo)樣件進(jìn)行預(yù)處理;
S2:將目標(biāo)樣件置于反應(yīng)器,將反應(yīng)器所處環(huán)境調(diào)整為達(dá)到目標(biāo)溫度的恒溫環(huán)境;
S3:將TiCl4的傳輸管路調(diào)整為達(dá)到特定溫度的恒溫狀態(tài);
S4:以載氣將TiCl4蒸汽通入反應(yīng)器中,并向反應(yīng)器中通入氨氣進(jìn)行沉積反應(yīng);
S5:所述沉積反應(yīng)達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間后,停止通入載氣、TiCl4蒸汽以及氨氣。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中溫化學(xué)氣相沉積氮化鈦涂層的方法,其特征在于:所述步驟S2中,將反應(yīng)器所處環(huán)境調(diào)整為達(dá)到目標(biāo)溫度的恒溫環(huán)境之前,先向反應(yīng)器中通入保護(hù)氣,并在后續(xù)步驟中持續(xù)通入保護(hù)氣。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于四川大學(xué),未經(jīng)四川大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110270696.X/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 化學(xué)處理方法和化學(xué)處理裝置
- 基礎(chǔ)化學(xué)數(shù)字化學(xué)習(xí)中心
- 化學(xué)處理方法和化學(xué)處理裝置
- 化學(xué)清洗方法以及化學(xué)清洗裝置
- 化學(xué)強(qiáng)化組合物、化學(xué)強(qiáng)化方法及化學(xué)強(qiáng)化玻璃
- 化學(xué)天平(無機(jī)化學(xué))
- 電化學(xué)裝置的化學(xué)配方
- 化學(xué)強(qiáng)化方法、化學(xué)強(qiáng)化裝置和化學(xué)強(qiáng)化玻璃
- 化學(xué)強(qiáng)化方法及化學(xué)強(qiáng)化玻璃
- 化學(xué)打尖方法和化學(xué)組合物
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





