[發(fā)明專利]功率半導(dǎo)體封裝和用于制造功率半導(dǎo)體封裝的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110270432.4
• 申請(qǐng)日: 2021-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN113496959A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·烏利希
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/29
• 分類號(hào): H01L23/29;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種功率半導(dǎo)體封裝，包括：

襯底，

布置在所述襯底上的功率半導(dǎo)體芯片，以及

包封所述功率半導(dǎo)體芯片的包封劑，

其中，所述包封劑包括穩(wěn)壓添加劑，所述穩(wěn)壓添加劑被配置為最小化或消除所述包封劑內(nèi)的局部放電。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體封裝，其中，所述包封劑包括聚合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率半導(dǎo)體封裝，其中，所述聚合物是硅樹脂、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯和聚氨酯中的一種或多種。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體封裝，其中，所述穩(wěn)壓添加劑包括噻噸酮、苯偶酰、二苯甲酮、苯乙酮、硝化芳香族結(jié)構(gòu)、鹵代芳香族、富勒烯、SiO₂顆粒、多環(huán)芳香族、苯二胺、甲基化吩噻嗪和丙二腈中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中的一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體封裝，其中，所述穩(wěn)壓添加劑共價(jià)結(jié)合到所述聚合物的聚合物基質(zhì)中。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體封裝，還包括：

形成腔體的塑料框架，其中，所述包封劑布置在所述腔體中，并且其中，所述塑料框架包括所述穩(wěn)壓添加劑，所述穩(wěn)壓添加劑被配置為最小化或消除所述塑料框架內(nèi)的局部放電。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體封裝，其中，所述塑料框架包括與所述密封劑不同的穩(wěn)壓添加劑。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體封裝，其中，所述包封劑中的所述穩(wěn)壓添加劑的含量在0.1wt％至10wt％的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體封裝，其中，包封包括鈍化有機(jī)涂層，所述鈍化有機(jī)涂層布置在所述功率半導(dǎo)體芯片的邊緣處和/或布置在所述襯底的邊緣處和/或溝槽處，

其中，所述鈍化有機(jī)涂層包括所述穩(wěn)壓添加劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率半導(dǎo)體封裝，其中，所述鈍化有機(jī)涂層具有與所述包封的其余部分不同的材料成分。

11.一種用于制造功率半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括：

提供襯底，

在所述襯底上布置功率半導(dǎo)體芯片，以及

用包封劑包封所述功率半導(dǎo)體芯片，

其中，所述包封劑包括穩(wěn)壓添加劑，所述穩(wěn)壓添加劑被配置為最小化或消除所述包封劑內(nèi)的局部放電。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述包封劑包括聚合物，并且其中，所述穩(wěn)壓添加劑共價(jià)結(jié)合到所述聚合物的聚合物基質(zhì)中。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述穩(wěn)壓添加劑包括噻噸酮、苯偶酰、二苯甲酮、苯乙酮、硝化芳香族結(jié)構(gòu)、鹵代芳香族、富勒烯、SiO₂顆粒、多環(huán)芳香族、苯二胺、甲基化吩噻嗪和丙二腈中的一種或多種。

14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中的一項(xiàng)所述的方法，還包括：

在包封所述功率半導(dǎo)體芯片之前，將所述穩(wěn)壓添加劑添加到所述包封劑，

其中，所述穩(wěn)壓添加劑以粉末形式被添加到所述包封劑，或者其中，所述穩(wěn)壓添加劑被添加到溶解在溶劑中的所述包封劑。

15.穩(wěn)壓添加劑在功率半導(dǎo)體封裝中的使用，所述穩(wěn)壓添加劑被配置為最小化或消除所述功率半導(dǎo)體封裝的包封劑內(nèi)的局部放電。