[發(fā)明專利]顯示組件、外部環(huán)境光強度的檢測方法和電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110270403.8 | 申請日: | 2021-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN113053977B | 公開(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉媛;吳俊緯 | 申請(專利權)人: | 維沃移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H04M1/72454 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 胡影;李紅標 |
| 地址: | 523863 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 組件 外部環(huán)境 強度 檢測 方法 電子設備 | ||
本申請公開了一種顯示組件、外部環(huán)境光強度的檢測方法和電子設備,顯示組件包括:至少一個第一像素,第一像素包括:第一發(fā)光器件,第一發(fā)光器件包括:反射陰極、第一發(fā)光層和透光陽極;第二發(fā)光器件,第一發(fā)光器件包括:反射陽極、第二發(fā)光層和透光陰極;第一發(fā)光器件與第二發(fā)光器件的發(fā)光方向相反,第一發(fā)光層與第二發(fā)光層相同。第一光檢測器位于反射陰極的靠近第一發(fā)光層的一側,第二光檢測器位于反射陽極的遠離第二發(fā)光層的一側,反射陽極上與第二光檢測器的檢測面對應的位置設有透光孔。本申請中的顯示組件可準確地檢測外部環(huán)境光強度,能夠準確地根據外部環(huán)境光強度調節(jié)顯示亮度。
技術領域
本申請屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示組件、外部環(huán)境光強度的檢測方法和電子設備。
背景技術
全面屏手機給用戶帶來很好的體驗,將環(huán)境光、面部識別、指紋識別、紅外接近傳感器等從手機屏幕上放置到屏幕下。環(huán)境光傳感器放置在屏下,OLED(Organic LightEmitting Display,有機發(fā)光顯示器)自發(fā)光產生的亮度會影響到環(huán)境光傳感器對外部環(huán)境光的測量,難以準確地檢測外部環(huán)境的光強度,導致無法準確地根據外部環(huán)境的光強度調節(jié)手機屏幕的亮度。
發(fā)明內容
本申請實施例的目的是提供一種顯示組件、外部環(huán)境光強度的檢測方法和電子設備,用以解決現有顯示屏難以準確地檢測顯示屏的外部環(huán)境的光強度,導致無法準確地根據外部環(huán)境的光強度調節(jié)顯示幕的亮度的問題。
為了解決上述技術問題,本申請是這樣實現的:
第一方面,本申請實施例提供了一種顯示組件,包括:
至少一個第一像素,所述第一像素包括:
第一發(fā)光器件,所述第一發(fā)光器件包括:反射陰極、第一發(fā)光層和透光陽極;
第二發(fā)光器件,所述第一發(fā)光器件包括:反射陽極、第二發(fā)光層和透光陰極;所述第一發(fā)光器件與所述第二發(fā)光器件的發(fā)光方向相反,所述第一發(fā)光層與所述第二發(fā)光層相同。
第一光檢測器,所述第一光檢測器位于所述反射陰極的靠近所述第一發(fā)光層的一側,所述第一光檢測器的檢測面在所述第一發(fā)光器件的所述第一發(fā)光層上的正投影與所述第一發(fā)光層至少部分重疊;
第二光檢測器,所述第二光檢測器位于所述反射陽極的遠離所述第二發(fā)光層的一側,所述第二光檢測器的檢測面在所述第二發(fā)光器件的第二發(fā)光層上的正投影與所述第二發(fā)光層至少部分重疊,所述反射陽極上與所述第二光檢測器的檢測面對應的位置設有透光孔。
其中,所述顯示組件包括第一顯示區(qū)和第二顯示區(qū),所述第一像素位于所述第一顯示區(qū),所述第二顯示區(qū)包括第二像素,所述第二像素包括:第三發(fā)光器件,所述第三發(fā)光器件包括:第三反射陽極、第三發(fā)光層和第三透光陰極。
其中,所述第一顯示區(qū)內的每個像素均為所述第一像素。
其中,所述第一顯示區(qū)域的面積小于所述第二顯示區(qū)域的面積。
其中,所述第三發(fā)光層包括依次層疊設置的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層與空穴注入層,且所述電子注入層靠近所述第三透光陰極設置,所述空穴注入層靠近所述第三反射陽極設置。
其中,所述第一發(fā)光層包括依次層疊設置的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層與空穴注入層,且所述電子注入層靠近反射陰極設置,所述空穴注入層靠近所述透光陽極設置;和/或
所述第二發(fā)光層包括依次層疊設置的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層與空穴注入層,且所述電子注入層靠近所述透光陰極設置,所述空穴注入層靠近所述反射陽極設置。
其中,所述第一像素還包括:
驅動電路層,所述驅動電路層的輸出端與所述透光陽極、反射陽極連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





