[發明專利]芯片封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110270310.5
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN112885793A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 沈戌霖;印鑫;劉怡然
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/488
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

1.一種芯片封裝結構，所述芯片包括基底，其具有第一面、與第一面相對的第二面以及連接第一面和第二面的多個側面，于所述基底第一面上依次設有絕緣層、金屬布線層和阻焊層，所述阻焊層上設有電連接于所述金屬布線層的焊接凸起，其特征在于，

所述絕緣層邊緣和所述阻焊層邊緣分別沿所述基底側面向內縮進第一距離a和第二距離b，其中，0nm≤b＜a；

所述絕緣層位于所述阻焊層內部，所述阻焊層位于所述絕緣層外側的部分覆蓋所述基底，且包覆所述絕緣層側邊。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述基底側面設有沿所述基底第一面向內凹陷的溝槽，所述溝槽沿所述基底側面長度方向分布。

3.根據權利要求2所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述溝槽于所述基底側面形成臺階結構，具有溝槽側壁面與溝槽底面，所述溝槽側壁面頂端和與其同側的所述基底側面之間間隔第三距離c，其中，c≤b。

4.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述絕緣層和所述金屬布線層之間設有緩沖層。

5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述基底第二面設有焊墊，所述基底第一面設有向其第二面延伸的通孔，所述通孔底部暴露所述焊墊，所述金屬布線層沿所述通孔側壁延伸至所述焊墊，與其電性連接。

6.一種芯片封裝結構制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供晶圓，所述晶圓具有相對的第一面及第二面，所述晶圓上陣列排布多顆芯片基底，相鄰所述基底之間分布有切割道；

于所述基底第一面形成絕緣層，于每個所述基底上形成間隔獨立分布的所述絕緣層，每個所述基底上的所述絕緣層邊緣沿所述切割道向內縮進第一距離a；

于所述絕緣層上依次形成金屬布線層和阻焊層，于每個所述基底上形成間隔獨立分布的所述阻焊層，每個所述基底上的所述阻焊層邊緣沿所述切割道向內縮進第二距離b，其中，0nm≤b＜a，所述阻焊層位于所述絕緣層外側的部分覆蓋所述基底，且包覆所述絕緣層側邊；

于所述阻焊層上開設暴露所述金屬布線層的通孔，在所述通孔內形成電性連接于所述金屬布線層的焊接凸起；

沿切割道切割晶圓，獲得多個獨立的芯片封裝結構。

7.根據權利要求6所述的芯片封裝結構制造方法，其特征在于，在“于所述基底第一面形成絕緣層”之前還包括步驟：

于所述晶圓第一面形成位于所述切割道上方的全溝槽，所述全溝槽寬度大于所述切割道寬度。

8.根據權利要求7所述的芯片封裝結構制造方法，其特征在于，

所述全溝槽具有溝槽側壁面與溝槽底面，所述溝槽側壁面頂端和與其同側的所述切割道邊緣之間間隔第三距離c，其中，c≤b，所述溝槽底面至少完全暴露所述切割道。

9.根據權利要求6所述的芯片封裝結構制造方法，其特征在于，“于所述絕緣層上依次形成金屬布線層和阻焊層”之前還包括步驟：

于所述絕緣層上形成緩沖層。

10.根據權利要求6所述的芯片封裝結構制造方法，其特征在于，“于所述基底第一面形成絕緣層”之前還包括步驟：

在所述晶圓第一面形成朝向其第二面延伸的通孔，所述通孔底部暴露出所述晶圓第二面設置的焊墊。