[發(fā)明專利]一種晶體處理裝置及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110270143.4
• 申請(qǐng)日: 2021-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN113001793B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈安宇;湛希棟;張耀文;李磊磊;張亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): B28D5/00
• 分類號(hào): B28D5/00;B28D7/00;B28D7/04
• 代理公司: 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11716
• 代理人: 吳紹群

1.一種晶體處理裝置，其特征在于，包括：

機(jī)架，所述機(jī)架上安裝有基座，所述基座上設(shè)置有用于夾持晶體的夾持機(jī)構(gòu)，所述夾持機(jī)構(gòu)包括第一開口；

碰撞組件，所述碰撞組件設(shè)置在所述夾持機(jī)構(gòu)的外側(cè)，所述碰撞組件包括第一碰撞件和第一動(dòng)力機(jī)構(gòu)，所述第一動(dòng)力機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)所述第一碰撞件運(yùn)動(dòng)，并經(jīng)過所述第一開口以撞擊所述晶體，直至所述晶體開裂；

所述晶體處理裝置還包括加熱組件，所述加熱組件包括設(shè)置在所述基座上的加熱絲，所述加熱絲、所述第一開口及所述第一碰撞件的中心線位于同一條直線上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體處理裝置，其特征在于，所述第一碰撞件包括第一連接件和第一碰撞尖端，所述第一碰撞尖端通過所述第一連接件與所述第一動(dòng)力機(jī)構(gòu)相連，所述第一碰撞尖端包括相連的第一斜面和第二斜面，所述第一斜面與所述第二斜面之間的夾角為75°～110°。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體處理裝置，其特征在于，所述碰撞組件還包括第二碰撞件和第二動(dòng)力機(jī)構(gòu)，所述第一碰撞件與所述第二碰撞件分別設(shè)置在所述夾持機(jī)構(gòu)的相對(duì)兩側(cè)，并位于同一條直線上；

所述夾持機(jī)構(gòu)還包括第二開口，所述第二開口與所述第一開口分別開設(shè)于所述夾持機(jī)構(gòu)的相對(duì)位置，所述第二動(dòng)力機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)所述第二碰撞件運(yùn)動(dòng)，并經(jīng)過所述第二開口碰撞所述晶體；和/或

所述第二碰撞件還包括與所述第二碰撞件相連的鎖緊裝置，用于鎖緊所述第二碰撞件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體處理裝置，其特征在于，所述基座與所述夾持機(jī)構(gòu)形成用于放置所述晶體的容納腔，所述容納腔底壁的中心線處開設(shè)有凹槽，所述凹槽貫穿于所述容納腔的底壁，所述加熱絲放置在所述凹槽內(nèi)；和/或

所述容納腔的底壁包括依次連接的第一部分、凹槽和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分別鋪設(shè)有隔熱材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的晶體處理裝置，其特征在于，所述夾持機(jī)構(gòu)包括第一夾持件和第二夾持件，所述第一夾持件和所述第二夾持件分別安裝在所述基座上，所述基座、所述第一夾持件和所述第二夾持件形成用于放置所述晶體的容納腔，所述第一夾持件和所述第二夾持件之間的缺口分別形成所述第一開口和第二開口；

所述第一夾持件和所述第二夾持件中至少一個(gè)能夠調(diào)節(jié)相對(duì)于另一的相對(duì)位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體處理裝置，其特征在于，所述第一碰撞件還包括第一滑動(dòng)軌道，所述第一滑動(dòng)軌道設(shè)置在所述基座上，所述第一連接件的兩側(cè)滑動(dòng)連接在所述第一滑動(dòng)軌道內(nèi)，所述第一動(dòng)力機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述第一連接件沿所述第一滑動(dòng)軌道滑動(dòng)，以帶動(dòng)所述第一碰撞尖端運(yùn)動(dòng)；和/或

所述第二碰撞件還包括第二連接件、第二碰撞尖端及第二滑動(dòng)軌道，所述第二滑動(dòng)軌道設(shè)置在所述基座上，所述第二碰撞尖端通過所述第二連接件與所述第二動(dòng)力機(jī)構(gòu)相連，所述第二連接件的兩側(cè)滑動(dòng)連接在所述第二滑動(dòng)軌道內(nèi)，所述第二動(dòng)力機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述第二連接件沿所述第二滑動(dòng)軌道滑動(dòng)，以帶動(dòng)所述第二碰撞件運(yùn)動(dòng)。

7.一種利用權(quán)利要求1所述的裝置進(jìn)行晶體處理的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

(1)將晶體放置于基座上，并使用夾持機(jī)構(gòu)固定，通過加熱組件加熱晶體的中心線；

(2)控制第一動(dòng)力機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述第一碰撞件運(yùn)動(dòng)，第一碰撞件穿過夾持機(jī)構(gòu)的第一開口撞擊所述晶體，使得所述晶體開裂。

8.據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體處理方法，其特征在于，步驟(2)中，所述第一碰撞件撞擊晶體時(shí)，所述第一碰撞件與所述晶體接觸時(shí)的壓強(qiáng)與所述晶體的應(yīng)力成反比；或所述第一碰撞件的撞擊力不小于50N；和/或

所述第一碰撞件撞擊晶體時(shí)，相鄰兩次撞擊的間隔時(shí)間為3～5s。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體處理方法，其特征在于，所述加熱組件的加熱速率為0.8～3℃/秒；

當(dāng)10℃≤T≤50℃時(shí)，加熱后所述晶體的中心線溫度與所述晶體的初始溫度之差為30～300℃，其中，T為所述晶體的初始溫度；或當(dāng)T＞50℃時(shí)，加熱后所述晶體的中心線溫度與所述晶體的初始溫度之差為30～300℃+T₁℃，其中T₁≥1.5T-75℃，T為所述晶體的初始溫度。