[發(fā)明專利]一種基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110270098.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113046693A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫崢;姜植崢 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 青島大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/08 | 分類號(hào): | C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/28;C23C14/35;C30B23/02;C30B29/22;C30B29/24 |
| 代理公司: | 青島高曉專利事務(wù)所(普通合伙) 37104 | 代理人: | 付麗麗 |
| 地址: | 266071 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 撓曲 效應(yīng) 供電 光電 探測(cè)器 | ||
1.一種基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器,其特征在于,包括自下而上設(shè)置的基底、底電極、撓曲電功能層和頂電極,基底為雙面透光的襯底材料,基底、底電極、撓曲電功能層的晶格常數(shù)依次遞增,底電極是能夠在基底上外延生長的導(dǎo)電層,撓曲電功能層具有撓曲電性質(zhì)且與基底之間能夠產(chǎn)生應(yīng)變梯度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器,其特征在于,底電極與基底之間的晶格失配度在0%-1.5%,撓曲電功能層與基底之間的晶格失配度在1.5%-7%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器,其特征在于,基底選用氧化鋅、硅片、ITO玻璃或其它單晶氧化物,底電極為SrRuO3、LaNiO3、LaSrMnO3或CaCeMnO3,撓曲電功能層為SrTiO3、LaFeO3、BiFeO3中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器,其特征在于,基底選用晶格常數(shù)為的雙拋LaAlO3,底電極選用晶格常數(shù)為的LaNiO3金屬氧化物薄膜,撓曲電功能層選用晶格常數(shù)為的LaFeO3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器,其特征在于,撓曲電功能層厚度為10-50nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器,其特征在于,撓曲電功能層厚度為30nm。
7.一種基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器的制備方法,其特征在于,具體包括以下步驟:
(1)在雙拋基底上用脈沖激光法沉積導(dǎo)電層,導(dǎo)電層晶格常數(shù)略大于基底,且能夠在基底上外延生長;
(2)在導(dǎo)電層上采用脈沖激光法沉積功能層,功能層晶格常數(shù)大于底電極,且與基底之間能夠產(chǎn)生應(yīng)變梯度;
(3)在功能層上采用磁控濺射法沉積頂電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器的制備方法,其特征在于,導(dǎo)電層的制備方法包括:
(1)固相合成法制備LaNiO3靶材:將La2O3和Ni2O3放入球磨罐中,添加80-120mL無水乙醇作為球磨介質(zhì),在球磨機(jī)中球磨24小時(shí),轉(zhuǎn)速為120-180r/min,球磨結(jié)束后烘干,得到干燥的粉體,再經(jīng)充分研磨后放于箱式爐中,1200℃燒結(jié)6小時(shí),得到LaNiO3粉體,使用聚乙烯醇水溶液對(duì)粉體進(jìn)行造粒,得到粒度均勻和流動(dòng)性好的造粒粉體,將造粒粉體加入模具中,在20Mpa的壓強(qiáng)下壓制成形,置于箱式爐中,1300℃燒結(jié)8小時(shí),得到LaNiO3靶材;
(2)制備LaNiO3底電極:然后將LaAlO3基底置于真空腔室內(nèi),控制氧分壓為5Pa,溫度為650℃,激光能量密度控制在2.5J/cm2,頻率在2Hz,制備出LaNiO3底電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于撓曲電效應(yīng)的自供電型光電探測(cè)器的制備方法,其特征在于,功能層的制備方法包括:
(1)固相合成法制備LaFeO3靶材:將La2O3和Fe2O3放入球磨罐中,添加80-120mL無水乙醇作為球磨介質(zhì),在球磨機(jī)中球磨24小時(shí),轉(zhuǎn)速為120-180r/min,球磨結(jié)束后烘干得到干燥的粉體,再經(jīng)充分研磨后放于箱式爐中,1200℃燒結(jié)6小時(shí),得到LaFeO3粉體,使用聚乙烯醇水溶液對(duì)粉體進(jìn)行造粒,得到粒度均勻和流動(dòng)性好的造粒粉體,將造粒粉體加入模具中,在20Mpa的壓強(qiáng)下壓制成形,置于箱式爐中,1300℃燒結(jié)8小時(shí),得到LaFeO3靶材;(2)然后將具有LaNiO3底電極的樣品置于真空腔室內(nèi),控制氧分壓力為5Pa,溫度為700℃,激光能量密度為1.875J/cm2,激光頻率為5Hz,制備出LaFeO3薄膜。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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