[發明專利]電沉積制備鎳鈷碳化硅復合鍍層的方法

在審

• 申請號: 202110270066.2
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN112981477A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 闞洪敏;孟媛媛;王曉陽;龍海波;孔令明;陳碩
• 申請（專利權）人: 沈陽大學
• 主分類號: C25D3/56
• 分類號: C25D3/56;C25D5/34;C25D15/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.電沉積制備鎳鈷碳化硅復合鍍層的方法，其特征在于，所述方法包括以下過程：

（1）鍍液的制備

在通風櫥中，使用微量進樣器量取PEI，與稱量好的SiC裝入盛有去離子水的燒杯中，利用磁力攪拌、超聲波分散各10-120分鐘，進行預包覆處理；將稱取好的氯化鎳、硫酸鎳、硫酸鈷、硼酸倒入燒杯中，再在磁力攪拌器和超聲波中各分散10-120分鐘；PEI和SiC的濃度分別控制在0.02g/L-0.2 g/L和2g/L-6 g/L；陽離子表面活性劑PEI預包覆易團聚的納米SiC顆粒，使SiC顆粒表面優先充分吸附PEI，避免了表面活性劑和槽內其他添加劑在顆粒表面競爭吸附，以優化槽組成、改善SiC納米顆粒分散性且細化鎳鈷基質晶粒的尺寸；

（2）銅基體處理

將銅片依次用400、800和1200目的砂紙打磨光滑，接著進行化學除油，除去銅片表面的油污，再用稀硫酸進行預腐蝕及弱腐蝕除去氧化膜，然后進行水洗，水洗后放入真空干燥箱中干燥，待用；

（3）恒流電沉積

以鎳板做陽極，銅片做陰極，控制電流密度為1-5A/dm²，施鍍溫度為30-60℃，進行電沉積1-2小時，即可獲得SiC分布較均勻且基體晶粒較小的Ni-Co-SiC復合鍍層。