[發(fā)明專利]一種石墨烯制備用反應(yīng)爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110270029.1 | 申請日: | 2021-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN112978718B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫紀蘭 | 申請(專利權(quán))人: | 上海瑟赫新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C01B32/184 | 分類號: | C01B32/184 |
| 代理公司: | 北京壹川鳴知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11765 | 代理人: | 趙浩竹 |
| 地址: | 201400 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 石墨 制備 反應(yīng)爐 | ||
本發(fā)明提供一種石墨烯制備用反應(yīng)爐,涉及石墨烯制備技術(shù)領(lǐng)域。該石墨烯制備用反應(yīng)爐,包括下爐體和上爐體,所述下爐體下端面中心開設(shè)有電機槽,所述電機槽的內(nèi)部固定設(shè)置有電動機,所述電動機的輸出端固定連接有轉(zhuǎn)動桿,所述下爐體內(nèi)部靠中部處固定設(shè)置有制備板,所述制備板的上端面中心處開設(shè)有制備槽,所述制備槽底面開設(shè)有環(huán)槽,所述制備槽底面位于環(huán)槽的兩側(cè)均開設(shè)有下流孔,所述環(huán)槽與兩個下流孔之間開設(shè)有貫通槽,所述轉(zhuǎn)動桿的上端貫穿下爐體和制備板通至制備槽的內(nèi)部,所述轉(zhuǎn)動桿的上端面中心處開設(shè)有活動槽。本發(fā)明提供一種石墨烯制備用反應(yīng)爐,該石墨烯制備用反應(yīng)爐操作方便,制備石墨烯效率高,便于拆卸。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及石墨烯制備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種石墨烯制備用反應(yīng)爐。
背景技術(shù)
石墨烯(Graphene)是一種以sp2雜化連接的碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的新材料,石墨烯具有優(yōu)異的光學、電學、力學特性,在材料學、微納加工、能源、生物醫(yī)學和藥物傳遞等方面具有重要的應(yīng)用前景,被認為是一種未來革命性的材料,英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫,用微機械剝離法成功從石墨中分離出石墨烯,因此共同獲得2010年諾貝爾物理學獎。石墨烯常見的粉體生產(chǎn)的方法為機械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長法,薄膜生產(chǎn)方法為化學氣相沉積法(CVD)。
石墨烯制備有微機械剝離法、SiC外延生長法、化學氣相沉積法(CVD)、氧化還原法,在通過SiC外延生長法制備石墨烯的過程中,需要在反應(yīng)爐中對SiC單晶體進行高壓加熱從而得到石墨烯,但在此過程中大多都用到的都是SiC薄片以便于加熱,這樣就需要多次開啟反應(yīng)爐添加SiC和收取石墨烯,非常麻煩并且效率還很低。
發(fā)明內(nèi)容
(一)解決的技術(shù)問題
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種石墨烯制備用反應(yīng)爐,解決了制備石墨烯效率低的問題。
(二)技術(shù)方案
為實現(xiàn)以上目的,本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn):一種石墨烯制備用反應(yīng)爐,包括下爐體和上爐體,所述下爐體下端面中心開設(shè)有電機槽,所述電機槽的內(nèi)部固定設(shè)置有電動機,所述電動機的輸出端固定連接有轉(zhuǎn)動桿,所述下爐體內(nèi)部靠中部處固定設(shè)置有制備板,所述制備板的上端面中心處開設(shè)有制備槽,所述制備槽底面開設(shè)有環(huán)槽,所述制備槽底面位于環(huán)槽的兩側(cè)均開設(shè)有下流孔,所述環(huán)槽與兩個下流孔之間開設(shè)有貫通槽,所述轉(zhuǎn)動桿的上端貫穿下爐體和制備板通至制備槽的內(nèi)部,所述轉(zhuǎn)動桿的上端面中心處開設(shè)有活動槽,所述活動槽的內(nèi)部活動設(shè)置有固定頭,所述活動槽的兩側(cè)內(nèi)壁靠下端處均開設(shè)有卡槽,所述固定頭頭身兩側(cè)靠下端處均固定設(shè)置有卡塊,兩個所述卡塊遠離固定頭的一端均活動設(shè)置在卡槽的內(nèi)部,所述固定頭的上端固定設(shè)置有橫桿,所述橫桿遠離固定頭的一端固定設(shè)置有刮板;
所述上爐體的下端固定設(shè)置有二號法蘭,所述下爐體的上端固定設(shè)置有一號法蘭,所述一號法蘭和二號法蘭之間通過多個緊固螺栓固定連接,所述下爐體的下端固定設(shè)置有下護殼,所述下護殼的底面靠兩側(cè)處分別固定設(shè)置有抽墨泵和存儲箱,所述抽墨泵和存儲箱之間通過連接管固定連接,所述抽墨泵的抽墨口處固定設(shè)置有抽離管,所述抽離管遠離抽墨泵的一端貫穿下護殼和下爐體通至下爐體的內(nèi)部,所述環(huán)槽的內(nèi)部活動設(shè)置有SiC環(huán),所述刮板的下端活動設(shè)置在SiC環(huán)的上端面。
優(yōu)選的,所述存儲箱的出墨口處固定設(shè)置有出料管,所述出料管遠離存儲箱的一端貫穿下護殼通至下護殼的下端,位于所述下護殼下端的出料管管身上固定設(shè)置有密封閥。
優(yōu)選的,所述上爐體的上端面靠兩側(cè)處分別固定設(shè)置有增壓泵和壓力表。
優(yōu)選的,所述下爐體內(nèi)部靠兩側(cè)處均固定設(shè)置有支撐柱,兩個所述支撐柱相對的一端均固定設(shè)置有加熱線圈,兩個所述支撐柱均位于制備板的上端。
優(yōu)選的,所述下爐體爐身靠下端處固定套設(shè)有固定環(huán),所述固定環(huán)下端面靠兩側(cè)處均固定設(shè)置有伸縮桿,兩個所述伸縮桿的下端均固定設(shè)置有自鎖萬向輪。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海瑟赫新材料科技有限公司,未經(jīng)上海瑟赫新材料科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110270029.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





