[發(fā)明專利]一種多環(huán)稠合有機硼半導體材料及OLED器件應用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110269119.9 | 申請日： | 2021-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN113054126A | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李曉常;許千千;殷正凱;坪山明;上野和則 | 申請（專利權）人： | 冠能光電材料（深圳）有限責任公司;江西冠能光電材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/54;C07F5/02;C07B59/00;C09K11/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518100 廣東省深圳市龍華區(qū)觀瀾街道新瀾社*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多環(huán)稠合 有機 半導體材料 oled 器件 應用 | ||
1.一種有機發(fā)光二極管，由如下部分組成：
(a)一個陰極
(b)一個靠近陰極的電子傳輸層
(c)一個陽極
(d)一個靠近陽極的空穴傳輸層
(e)一個夾心于電子傳輸層與空穴傳輸層之間的發(fā)光層，該發(fā)光層含有一種有機半導體化合物，其化學結構通式為：
其中TR環(huán)是含有氮原子的五個環(huán)或以上的稠合發(fā)色團；
Ar、Ar1和Ar2是六元苯環(huán)、六元芳雜環(huán)、五元芳雜環(huán)、碳原子不超過18的五元或六元稠合芳雜環(huán)、以上各類環(huán)的R1取代物；
R1是滿足苯環(huán)或芳雜環(huán)價鍵數(shù)量的一個或多個取代，可選取代為H、D、F、碳原子數(shù)為1-12的烷基、碳原子數(shù)為1-12的烷氧基、碳原子數(shù)為1-12的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為1-12的含氟烷基、碳原子數(shù)為1-12的含氘烷基、碳原子數(shù)為1-12的硅烷基、苯基、取代苯基、呋喃基、取代呋喃基、噻吩基、取代噻吩基、吡啶基、取代吡啶基、奈基、取代奈基、蒽基、取代蒽基、芴基、咔唑基、取代咔唑基、稠合芳雜基、取代稠合芳雜基、-N(Y1Y2)、-OY1、-SY1，其中Y1及Y2為C1-C12烷基取代、C6-C16的芳基取代、C5-C16的芳雜基取代、C7-C16的稠合芳雜基取代；
R1可選為一化學交聯(lián)基團。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其特征是所述的發(fā)光二極管中的發(fā)光層有機半導體化合物包含如下結構化合物：
其中的X1-X8為C或N原子；
Ar、Ar1和Ar2是六元苯環(huán)、六元芳雜環(huán)、五元芳雜環(huán)、碳原子不超過18的五元或六元稠合芳雜環(huán)、以上各類環(huán)的R1取代物；
R1-R3是滿足苯環(huán)或芳雜環(huán)價鍵數(shù)量的一個或多個取代，可選取代為H、D、F、碳原子數(shù)為1-12的烷基、碳原子數(shù)為1-12的烷氧基、碳原子數(shù)為1-12的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為1-12的含氟烷基、碳原子數(shù)為1-12的含氘烷基、碳原子數(shù)為1-12的硅烷基、苯基、取代苯基、呋喃基、取代呋喃基、噻吩基、取代噻吩基、吡啶基、取代吡啶基、奈基、取代奈基、蒽基、取代蒽基、芴基、咔唑基、取代咔唑基、稠合芳雜基、取代稠合芳雜基、-N(Y1Y2)、-OY1、-SY1，其中Y1及Y2為C1-C12烷基取代、C6-C16的芳基取代、C5-C16的芳雜基取代、C7-C16的稠合芳雜基取代；
R1-R3可選為一化學交聯(lián)基團。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其特征是所述的發(fā)光二極管中的發(fā)光層有機半導體化合物包含如下結構化合物：
其中的X為C或N原子；
Ar、Ar1和Ar2是六元苯環(huán)、六元芳雜環(huán)、五元芳雜環(huán)、碳原子不超過18的五元或六元稠合芳雜環(huán)、以上各類環(huán)的R1取代物；
R1-R3是滿足苯環(huán)或芳雜環(huán)價鍵數(shù)量的一個或多個取代，可選取代為H、D、F、碳原子數(shù)為1-12的烷基、碳原子數(shù)為1-12的烷氧基、碳原子數(shù)為1-12的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為1-12的含氟烷基、碳原子數(shù)為1-12的含氘烷基、碳原子數(shù)為1-12的硅烷基、苯基、取代苯基、呋喃基、取代呋喃基、噻吩基、取代噻吩基、吡啶基、取代吡啶基、奈基、取代奈基、蒽基、取代蒽基、芴基、咔唑基、取代咔唑基、稠合芳雜基、取代稠合芳雜基、-N(Y1Y2)、-OY1、-SY1，其中Y1及Y2為C1-C12烷基取代、C6-C16的芳基取代、C5-C16的芳雜基取代、C7-C16的稠合芳雜基取代；
R1-R3可選為一化學交聯(lián)基團。
4.根據(jù)權利要求1、2、3所述的有機發(fā)光二極管，其特征是所述的發(fā)光二極管中的發(fā)光層有機半導體化合物具有如下結構：
5.根據(jù)權利要求1、2、3所述的有機發(fā)光二極管，其特征是所述的發(fā)光二極管中的發(fā)光層有機半導體化合物中R1、R2、R3含有一個或多個可交聯(lián)基團，可交聯(lián)基團選自乙烯基、丙烯酸脂或三氟乙烯基。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
