[發明專利]一種近場陣列波束控制方法有效
| 申請號: | 202110268752.6 | 申請日: | 2021-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN113067615B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發明(設計)人: | 潘延;廖紅舒;甘露 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H04B7/06 | 分類號: | H04B7/06;H04B7/08;G06F17/16 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 孫一峰 |
| 地址: | 611731 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 近場 陣列 波束 控制 方法 | ||
1.一種近場陣列波束控制方法,所述近場陣列天線為M×M維半波長均布面陣,以陣列中心處陣元為參考點,三維空間中任意一點r*=(x*,y*,z*)的導向矢量描述為:
其中,λ為天線陣列工作波長,d(m,*)為序號為m的陣元與目標點r*=(x*,y*,z*)的距離;
假設將波束指向某一個確定點r0=(x0,y0,z0)時,其對應常規波束形成的權向量為:
定義w0為初始加權向量;其特征在于,所述波束控制方法包括以下步驟:
S1、定義區間長度為L,L=0代表單一聚焦平面,L0代表一段連續距離內的近場空間,由初始加權向量w0構造初始波束圖作為首次迭代的結果:
S2、在旁瓣區域內尋找增益大于旁瓣目標值η的點rk=(xk,yk,zk),使得ΩSide為旁瓣區域,將ρk設為旁瓣目標值η,計算μk:
其中,ak是引入的一個虛擬干擾點的導向矢量,通過將調整該點處的歸一化響應值來滿足陣列設計需求,ρk為ak所對應這一坐標點需要達到的增益,得到wk:
wk=wk-1+μkak
得到本次迭代的波束圖:
S3、判斷得到的波束圖是否滿足設定的限制條件,若不滿足則回到步驟S2繼續進行迭代求解;若滿足,所得到的wk即為用于波束控制的加權向量。
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