[發明專利]電路

在審

• 申請號: 202110268626.0
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN113421850A
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 鍾進龍;楊士億;李明翰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本公開涉及一種電路。混合通孔內連線結構包括第一阻障金屬層，圍繞第一金屬填充層的至少一部分；第二阻障金屬層，圍繞第二金屬填充層的至少一部分；以及混合通孔，形成于第一金屬填充層與第二金屬填充層之間。混合通孔提供第一金屬填充層與第二金屬填充層之間的電性連接，且其材料組成不同于第一金屬填充層、第二金屬填充層、第一阻障金屬層、與第二阻障金屬層。可在集成電路制作制程的后段制程部分時形成混合通孔內連線結構，以減少內連線電阻并改善制作難度。

技術領域

本公開實施例涉及半導體裝置與形成含半導體裝置的電路的方法，更特別涉及在集成電路制作制程時形成的內連線結構。

背景技術

半導體裝置用于多種電子單元中，且通常需要考慮半導體裝置的產能與效能。隨著這些裝置的尺寸持續減少，在產生高效能與可行的內連線結構時面臨挑戰。

發明內容

本公開的一實施方式為電路。電路包括第一阻障金屬層，圍繞第一金屬填充層的至少一部分；第二阻障金屬層，圍繞第二金屬填充層的至少一部分；以及混合通孔，形成于第一金屬填充層與第二金屬填充層之間。混合通孔提供第一金屬填充層與第二金屬填充層之間的電性連接。

本公開另一實施方式為電路的制作方法。方法包括：形成絕緣層于第一內連線結構上；形成溝槽于絕緣層中；形成混合通孔于溝槽中；以及形成第二內連線結構于混合通孔上，使混合通孔提供第一內連線結構與第二內連線結構之間的電性連接。

本公開又一實施方式為電路。電路包括第一阻障金屬層，圍繞金屬填充層的至少一部分；第二阻障金屬層，圍繞金屬層的至少一部分；以及混合通孔，形成于金屬填充層與金屬層之間。混合通孔提供金屬填充層與金屬層之間的電性連接。

附圖說明

圖1至10是多種實施例中，采用單鑲嵌制程所形成的混合通孔內連線結構的剖視圖。

圖11A是一些實施例中，形成圖1至10的混合通孔內連線結構所用的制程的流程圖。

圖11B至圖11J是一些實施例中，圖11A的制程的多種步驟。

圖12至圖47是多種實施例中，采用雙鑲嵌制程所形成的混合通孔內連線結構的剖視圖。

圖48A是一些實施例中，形成圖12至圖47的混合通孔內連線結構所用的制程的流程圖。

圖48B至圖48F是一些實施例中，圖48A的制程的多種步驟。

圖49至圖64是多種實施例中，采用反應性離子蝕刻制程所形成的混合通孔內連線結構的剖視圖。

圖65A是一些實施例中，形成圖49至圖64的混合通孔內連線結構所用的制程的流程圖。

圖65B至圖65I是一些實施例中，圖65A的制程的多種步驟。

其中，附圖標記說明如下：

10，20，30：制程

11，12，13，14，15，16，17，18，19，21，22，23，24，25，31，32，33，34，35，36，37，38：步驟100，200，300：混合通孔內連線結構

110，210，310：混合通孔

122，124，222，224，322：金屬填充層

132，134，232，234，332，334：阻障金屬層

142，144，242，244，342，344，346：絕緣層

150，250，352，354：蝕刻停止層

160，260，360：蓋層

172，174，272，274，370：溝槽