[發明專利]多層陶瓷電容器

有效

• 申請號: 202110268359.7
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN112885603B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 樸宰成;金鐘翰;金珍成;樸柾玧;崔才烈;杜世翰娜
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12;H01G4/012
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 包國菊;劉奕晴

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，具有彼此背對的第一表面和第二表面以及將所述第一表面和所述第二表面彼此連接的第三表面和第四表面；

多個內電極，設置在所述陶瓷主體中，暴露到所述第一表面和所述第二表面，并各自具有暴露到所述第三表面或所述第四表面的一端；以及

第一側部邊緣部分和第二側部邊緣部分，設置在所述第一表面和所述第二表面上，并覆蓋所述內電極的暴露的表面，

所述第一側部邊緣部分和所述第二側部邊緣部分包含作為主要成分的鈦酸鋇基基體材料以及作為輔助成分的鎂、錳和鋁，并且

基于所述第一側部邊緣部分和所述第二側部邊緣部分中的錳、鎂和鋁的摩爾含量，錳與鎂、錳和鋁的含量比滿足0.316≤Mn/(Mn+Mg+Al)≤0.500。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，基于100mol的作為主要成分的所述基體材料，鎂的含量滿足0.75mol≤Mg≤2.10mol。

3.根據權利要求1或2所述的多層陶瓷電容器，其中，基于100mol的作為主要成分的所述基體材料，錳的含量滿足0.6mol≤Mn≤2.0mol。

4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述輔助成分包括鈉和鋰，并且基于100mol的作為主要成分的所述基體材料，鈉和鋰的含量分別滿足0.5mol≤Na≤1.5mol和0.5mol≤Li≤1.5mol。

5.根據權利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中，所述輔助成分包括硅，并且基于所述第一側部邊緣部分和所述第二側部邊緣部分中的鈉和硅的摩爾含量，硅與鈉的含量比滿足0.68≤Si/(Na+Si)≤0.87，并且基于所述第一側部邊緣部分和所述第二側部邊緣部分中的鋰和硅的摩爾含量，硅與鋰的含量比滿足0.68≤Si/(Li+Si)≤0.87。

6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述輔助成分包括第一輔助成分、第二輔助成分和第三輔助成分中的至少一種，其中，所述第一輔助成分為包含Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、La、Tb、Yb和Pr中的至少一種的氧化物或碳酸鹽；所述第二輔助成分為包含Ba的氧化物或碳酸鹽；并且所述第三輔助成分包含含有Si和Al中的至少一種的氧化物或碳酸鹽以及含有Si的玻璃化合物中的至少一種。

7.根據權利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中，基于100mol的作為主要成分的所述基體材料，所述第一輔助成分的含量為0.0mol至4.0mol；基于100mol的作為主要成分的所述基體材料，所述第二輔助成分的含量為0.0mol至5.0mol；并且基于100mol的作為主要成分的所述基體材料，所述第三輔助成分的含量為0.0mol至5.0mol。

8.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側部邊緣部分和所述第二側部邊緣部分具有18μm或更小的平均厚度。

9.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述內電極包括：第一內電極，具有暴露到所述第三表面的一端和設置為與所述第四表面分開預定間隔的另一端；以及第二內電極，具有暴露到所述第四表面的一端和設置為與所述第三表面分開所述預定間隔的另一端。