[發(fā)明專利]存儲器控制方法、裝置及鐵電存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110267978.4 | 申請日： | 2021-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN112885386B | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊建國;趙昱霖 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | G11C11/22 | 分類號： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302 | 代理人： | 房德權(quán) |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器 控制 方法 裝置 | ||
1.一種存儲器控制方法，其特征在于，用于控制存算一體化的鐵電存儲器，所述方法包括：
向所述鐵電存儲器中目標存儲單元的板線施加第一電壓，以沖擊出所述目標存儲單元中鐵電電容內(nèi)的部分電荷，其中，所述第一電壓小于所述鐵電存儲器的寫入電壓；
在基于所沖擊出的電荷進行目標運算處理后，向所述目標存儲單元的板線施加第二電壓，再次讀取所述目標存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)，并將所讀取的數(shù)據(jù)重新寫入所述目標存儲單元，其中，所述第二電壓大于所述第一電壓，所述第二電壓用于再次沖擊出所述目標存儲單元中鐵電電容的部分電荷。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述鐵電存儲器中目標存儲單元的板線施加第一電壓，包括：
基于接收到的運算指令，確定所述目標運算處理的類型以及所述運算指令涉及的目標存儲單元；
基于所述目標運算處理的類型確定所述目標存儲單元對應(yīng)的第一電壓，并向所述目標存儲單元的板線施加所確定的第一電壓；
若所述目標運算處理的類型屬于預(yù)設(shè)存內(nèi)運算類型，所述基于所沖擊出的電荷進行目標運算處理，包括：
通過讀取所述目標存儲單元對應(yīng)的位線上的電壓，得到所述目標運算處理的計算結(jié)果。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述目標運算處理的類型確定所述目標存儲單元對應(yīng)的第一電壓，包括：
若所述目標運算處理的類型為所述預(yù)設(shè)存內(nèi)運算類型中的布爾邏輯運算，則基于預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系確定與所述目標運算處理的類型對應(yīng)的電壓，將所確定的電壓作為所述目標存儲單元對應(yīng)的第一電壓，其中，所述預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系為布爾邏輯運算類型與電壓的對應(yīng)關(guān)系，且不同類型的布爾邏輯運算對應(yīng)的電壓不同；
其中，所述預(yù)設(shè)存內(nèi)運算類型中的布爾邏輯運算包括與運算以及或運算，所述與運算對應(yīng)的電壓小于所述或運算對應(yīng)的電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述目標存儲單元的板線施加第二電壓，再次讀取所述目標存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)，并將所讀取的數(shù)據(jù)重新寫入所述目標存儲單元，包括：
若所述目標存儲單元為多個，則任意選擇一個目標存儲單元作為待恢復(fù)單元，通過執(zhí)行恢復(fù)步驟，對所述待恢復(fù)單元進行數(shù)據(jù)恢復(fù)，其中，所述恢復(fù)步驟包括：向所述待恢復(fù)單元的板線施加第二電壓，再次讀取所述待恢復(fù)單元中存儲的數(shù)據(jù)，并將所讀取的數(shù)據(jù)重新寫入所述待恢復(fù)單元；
完成所述待恢復(fù)單元的數(shù)據(jù)恢復(fù)后，再將下一個目標存儲單元作為待恢復(fù)單元，重復(fù)執(zhí)行所述恢復(fù)步驟，直至恢復(fù)完所有的目標存儲單元。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一電壓大于零且小于或等于3/4倍的所述寫入電壓，所述第二電壓大于所述第一電壓，且小于或等于所述寫入電壓。
6.一種存儲器控制裝置，其特征在于，用于控制存算一體化的鐵電存儲器，所述裝置包括：
加壓模塊，用于向所述鐵電存儲器中目標存儲單元的板線施加第一電壓，以沖擊出所述目標存儲單元中鐵電電容內(nèi)的部分電荷，其中，所述第一電壓小于所述鐵電存儲器的寫入電壓；
恢復(fù)模塊，用于在基于所沖擊出的電荷進行目標運算處理后，向所述目標存儲單元的板線施加第二電壓，再次讀取所述目標存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)，并將所讀取的數(shù)據(jù)重新寫入所述目標存儲單元，其中，所述第二電壓大于所述第一電壓，所述第二電壓用于再次沖擊出所述目標存儲單元中鐵電電容的部分電荷。
7.一種鐵電存儲器，其特征在于，包括控制單元、處理單元以及多個存儲單元，所述控制單元與所述多個存儲單元以及所述處理單元連接，所述多個存儲單元與所述處理單元連接，所述控制單元用于執(zhí)行權(quán)利要求1-5中任一項所述的方法。
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