[發明專利]一種具有扁平化結構的高振實密度的改性氣相二氧化硅及其制備方法和用途

有效

• 申請號: 202110267560.3
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN113105758B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 譚龍飛;孟憲偉;吳瓊;任湘菱;付長慧
• 申請（專利權）人: 中國科學院理化技術研究所
• 主分類號: C09C1/30
• 分類號: C09C1/30;C09C3/04;C09C3/12;C08K9/06;C08K7/26;C08L83/04
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535
• 代理人: 謝怡婷;謝蓉

1.一種改性氣相二氧化硅，其中，所述改性氣相二氧化硅的原生粒子的粒徑為5-30nm，所述原生粒子形成聚集體，所述聚集體的長度為60-500 nm，且所述聚集體為扁平狀結構，所述扁平狀結構的厚度和長度比為1:8-1:20；改性氣相二氧化硅的比表面積為110-300m²/g；

所述改性氣相二氧化硅的制備方法，包括以下步驟：

1）配制硅前驅體溶液；

2）在回轉真空反應釜中加入氣相二氧化硅和步驟1）的硅前驅體溶液，開啟回轉真空反應釜并加熱，制備得到所述改性氣相二氧化硅；

所述改性氣相二氧化硅的振實密度為100-500 g/L，偏差≤20 g/L。

2.根據權利要求1所述的改性氣相二氧化硅，其中，步驟1）中，將硅前驅體加入到反應溶劑中，配制成濃度為0.5 wt%-30 wt%的硅前驅體溶液。

3.根據權利要求1所述的改性氣相二氧化硅，其中，步驟1）中，所述硅前驅體選自正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、硅酸鈉、六甲基二硅氧烷、六甲基二硅氮烷、六甲基環三硅氮烷、七甲基二硅氮烷、八甲基環四硅氮烷、二甲基二氧基硅烷、三乙烯基三甲基環三硅氮烷、四甲基二乙烯基二硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅氮烷、二乙氧基甲基乙烯基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、N-[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺、雙-[γ-(三乙氧基硅)丙基]四硫化物、1,3-二苯基-1,1,3,3-四甲基二硅氮烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、二乙氧基苯基硅烷、苯基三甲氧基硅烷和苯基三乙氧基硅烷中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的改性氣相二氧化硅，其中，步驟2）中，所述硅前驅體溶液和氣相二氧化硅的體積質量比為（2-15 L）:1kg。

5.根據權利要求1所述的改性氣相二氧化硅，其中，步驟2）中，所述加熱的過程為：

第一段加熱溫度為70-90℃，反應1-3小時，第二段加熱溫度為100-120℃，反應1-5小時，第三段加熱溫度為150-200℃，反應1-5小時。

6.根據權利要求1所述的改性氣相二氧化硅，其中，步驟2）中，所述加熱過程中，回轉真空反應釜的回轉速率為4-10 rpm，回轉真空反應釜的真空度為10³-10⁴Pa。

7.權利要求1-6任一項所述的改性氣相二氧化硅的用途，其用于填料。