[發明專利]一種Sn-Se系列超晶格相變存儲材料及其制備方法

有效

• 申請號: 202110267081.1
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN113078261B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 王嘉賦;袁宇輝;余念念;孫志剛
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: H10N70/20
• 分類號: H10N70/20;C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231
• 代理人: 陳建軍

1.一種Sn-Se系列超晶格相變存儲材料，其特征在于，其由單層SnSe薄膜和單層SnSe₂薄膜交替堆疊成超晶格薄膜結構；所述單層SnSe薄膜的厚度為1~4nm，所述單層SnSe₂薄膜的厚度為1~4nm，所述Sn-Se系列超晶格相變存儲材料的總厚度為48nm。

2.根據權利要求1所述Sn-Se系列超晶格相變存儲材料，其特征在于，每個周期內所述單層SnSe薄膜和所述單層SnSe₂薄膜的厚度相同。

3.根據權利要求1所述Sn-Se系列超晶格相變存儲材料，其特征在于，每個周期內所述單層SnSe薄膜和所述單層SnSe₂薄膜的厚度均為4nm，薄膜的總周期數為6。

4.一種如權利要求1~3中任一項所述Sn-Se系列超晶格相變存儲材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：采用磁控濺射的方法，以SnSe和SnSe₂為靶材，在襯底上交替沉積單層SnSe薄膜和單層SnSe₂薄膜，得到Sn-Se系列超晶格相變存儲材料。

5.根據權利要求4所述Sn-Se系列超晶格相變存儲材料的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射的方法為：將襯底置于磁控濺射真空室中，以SnSe和SnSe₂為靶材，通入氬氣，對SnSe和SnSe₂交替進行直流磁控濺射。

6.根據權利要求4所述Sn-Se系列超晶格相變存儲材料的制備方法，其特征在于，所述襯底為硅基片，且硅基片總厚度為400~500nm，氧化層厚度為200~300nm。

7.根據權利要求5所述Sn-Se系列超晶格相變存儲材料的制備方法，其特征在于，所述真空室的真空度低于3х10^-4pa，氬氣流速為30~60sccm，工作氬氣壓為2~3pa，靶基距為5~20cm。

8.根據權利要求4所述Sn-Se系列超晶格相變存儲材料的制備方法，其特征在于，對所述SnSe和SnSe₂交替進行直流磁控濺射的過程中，工作電流為10~30mA，成膜速率為0.8~1.5?/s。

9.根據權利要求4所述Sn-Se系列超晶格相變存儲材料的制備方法，其特征在于，對所述SnSe和SnSe₂交替進行直流磁控濺射前，還包括預濺射。