[發明專利]存儲器件

在審

• 申請號: 202110266673.1
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN113488087A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 粘逸昕;趙威丞;林志宇;藤原英弘;陳炎輝;王茹毓
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;G11C5/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種存儲器件，包括第一程序線和第二程序線。第一程序線的第一部分形成在第一導電層中，并且第一程序線的第二部分形成在第一導電層上方的第二導電層中。第二程序線的第一部分形成在第一導電層中。第二程序線的第二部分形成在第二導電層中。第二程序線的第三部分形成在第二導電層上方的第三導電層中。第一程序線的第一部分和第二部分彼此大小不同，并且第二程序線的第一部分、第二部分和第三部分彼此大小不同。

技術領域

本發明的實施例涉及一種存儲器件。

背景技術

靜態隨機存取存儲器(SRAM)是一種具有存儲器單元陣列的半導體存儲器。設置在對應行或列中的存儲器單元通過對應的字線和對應的位線被訪問。可以通過字線和位線的操作從存儲器單元讀取數據或向存儲器單元寫入數據。例如，根據包括字線的幾何尺寸或設置的布線來設計SRAM。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種存儲器件，包括：第一程序線，配置為將第一程序信號傳輸到存儲器單元，其中，第一程序線的第一部分形成在第一導電層中，并且第一程序線的第二部分形成在第一導電層上方的第二導電層中；和第二程序線，配置為將第二程序信號傳輸到存儲器單元，其中，第二程序線的第一部分形成在第一導電層中，第二程序線的第二部分形成在第二導電層中，并且第二程序線的第三部分形成在第二導電層上方的第三導電層中，其中，第一程序線的第一部分和第二部分彼此大小不同，并且第二程序線的第一部分、第二部分和第三部分彼此大小不同。

根據本發明的另一個方面，提供了一種存儲器件，包括：第一程序線，配置為將第一程序信號傳輸到設置在第一行中的存儲器單元，其中，第一程序線的第一部分形成在第一導電層中，并且第一程序線的第二部分形成在第一導電層上方的第二導電層中；第二程序線，配置為將第二程序信號傳輸到設置在第二行中的存儲器單元，其中，第二程序線的第一部分形成在第一導電層中，第二程序線的第二部分形成在第二導電層中，并且第二程序線的第三部分形成在第二導電層上方的第三導電層中；第三程序線，配置為將第三程序信號傳輸到設置在第三行中的存儲器單元，其中，第三程序線的第一部分形成在第一導電層中，并且第三程序線的第二部分形成在第二導電層中；和第四程序線，配置為將第四程序信號傳輸到設置在第四行中的存儲器單元，其中，第四程序線的第一部分形成在第一導電層中，第四程序線的第二部分形成在第二導電層中，并且第四程序線的第三部分形成在第三導電層中。

根據本發明的又一個方面，提供了一種存儲器件，包括：第一程序線的第一部分和第二程序線的第一部分，第一程序線的第一部分和第二程序線的第一部分形成在第一導電層中；第一程序線的第二部分和第二程序線的第二部分，第一程序線的第二部分和第二程序線的第二部分形成在第一導電層上方的第二導電層中；第二程序線的第三部分，第二程序線的第三部分形成在第二導電層和第二導電層上方的第四導電層之間的第三導電層中；并且第二程序線的第四部分，第二程序線的第四部分形成在第四導電層中，其中，第一程序線的第一部分和第二部分中的至少兩個彼此大小不同，并且第二程序線的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分中的至少兩個彼此大小不同。

附圖說明

當與附圖一起閱讀時，根據以下詳細描述可以最好地理解本發明的各方面。應注意，根據行業中的標準實踐，各種部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可被任意增加或減少。

圖1是示出根據本發明的一些實施例的存儲器件的電路圖。

圖2A和圖2B是根據本發明的一些實施例的與圖1所示的存儲器件相對應的存儲器件的部分的橫截面示意圖。

圖3是根據本發明的一些實施例的與圖2A和圖2B所示的存儲器件相對應的存儲器件的部分的示意性布局圖。

圖4A和圖4B是根據本發明的一些實施例的與圖1所示的存儲器器件相對應的存儲器器件的部分的橫截面示意圖。

圖5是根據本發明的一些實施例的與圖2A和圖2B所示的存儲器器件相對應的存儲器器件的部分的示意性布局圖。