[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器元件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110266366.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114864675A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭舒綺;廖宏魁;劉振強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L27/11521;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種存儲(chǔ)器元件，其特征在于，包括：

浮置柵極，設(shè)置于基底上且具有梳狀部，其中所述梳狀部具有彼此側(cè)向間隔開(kāi)的多個(gè)條狀圖案；

柵間介電層，覆蓋所述浮置柵極的所述梳狀部的上表面；

柵極耦合層，覆蓋所述柵間介電層；以及

控制柵極，包括立于所述柵極耦合層上的導(dǎo)電插塞，且電連接于所述柵極耦合層，其中所述控制柵極在垂直方向上與水平方向上電容耦合于所述浮置柵極的所述梳狀部。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件，其中所述柵間介電層與所述柵極耦合層實(shí)質(zhì)上完整地覆蓋所述浮置柵極的所述梳狀部的所述上表面。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件，還包括金屬硅化物層，形成于所述柵極耦合層上，其中所述控制柵極的所述導(dǎo)電插塞經(jīng)由所述金屬硅化物層而電連接于所述柵極耦合層。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件，其中所述浮置柵極還具有另一部分，延伸于所述基底的主動(dòng)區(qū)上并通過(guò)隧穿介電層而與所述主動(dòng)區(qū)接觸。

5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器元件，還包括隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述基底中且圍繞所述主動(dòng)區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器元件，其中所述浮置柵極的所述梳狀部、所述柵間介電層與所述柵極耦合層交疊所述隔離結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件，其中所述柵間介電層還覆蓋所述浮置柵極的所述梳狀部的側(cè)壁，且所述柵極耦合層還填入于所述浮置柵極的所述梳狀部的所述多個(gè)條狀圖案之間的空間中。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器元件，其中所述柵間介電層具有彼此側(cè)向間隔開(kāi)的多個(gè)部分，分別覆蓋所述浮置柵極的所述梳狀部的所述多個(gè)條狀圖案，且其中所述柵極耦合層也具有彼此側(cè)向間隔開(kāi)的多個(gè)部分，分別覆蓋所述柵間介電層的所述多個(gè)部分。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器元件，其中所述控制柵極還包括至少一導(dǎo)電墻，延伸于所述浮置柵極的所述梳狀部的相鄰條狀圖案之間。

10.一種存儲(chǔ)器元件的制造方法，包括：

在基底上方形成浮置柵極，其中所述浮置柵極具有梳狀部，且所述梳狀部具有彼此側(cè)向間隔開(kāi)的多個(gè)條狀圖案；

在所述浮置柵極的所述梳狀部上形成柵間介電層；

在所述柵間介電層上形成柵極耦合層；以及

在所述基底上形成控制柵極，其中所述控制柵極包括立于所述柵極耦合層上的導(dǎo)電插塞，且電連接于所述柵極耦合層，且其中所述控制柵極在垂直方向上與水平方向上電容耦合于所述浮置柵極的所述梳狀部。