[發明專利]室溫周期對數天線集成的碲化鎳太赫茲探測器及制備方法

在審

• 申請號: 202110265603.4
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN113049096A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 王林;張力波;沈家忠;邢懷中;陳效雙;陸衛
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42;H01L31/115
• 代理公司: 上海滬慧律師事務所 31311
• 代理人: 郭英

1.一種室溫周期對數天線集成的碲化鎳太赫茲探測器，其特征在于：

所述探測器的結構為：在本征高阻硅襯底(1)上是二氧化硅層(2)，在二氧化硅層(2)上的有碲化鎳(3)，在碲化鎳(3)兩端是源電極(4)和漏電極(5)，其結構由22個對稱振子組成，所有振子以及振子之間的距離都有確定的比例關系，其比例因子為0.7,頂角為45°，左右兩側以同心圓圓心為對稱中心形成中心對稱，同心圓最大半徑為1mm，左右兩邊各有11個不同大小的圓環。由同心圓兩邊緣引出兩電極用于連接電路；

所述的襯底(1)是本征高阻硅，其電阻率為10000Ω.cm,厚度為500μm；覆蓋在其上的是二氧化硅(2)，厚度為300nm；

所述的碲化鎳(3)為單晶碲化鎳，厚度為70-100nm；

所述的源電極(4)和漏電極(5)為金屬復合電極，下層金屬為鉻，作為粘附層，厚度是5nm，上層金屬為金,厚度是70nm。

2.一種制備如權利要求1所述室溫周期對數天線集成的碲化鎳太赫茲探測器的方法，其特征在于方法如下：

通過熱氧化法在本征高阻硅上制備氧化物層作為襯底；通過化學氣相沉積法得到單晶碲化鎳，再使用藍膠帶把單晶碲化鎳進行簡單地機械剝離，就可以得到納米厚級別的單晶碲化鎳；然后將碲化鎳轉移到襯底表面；采用紫外光刻技術或者電子束曝光技術，結合電子束蒸發及傳統剝離工藝制備周期對數天線結構的源極和漏極；把器件貼到PCB底座上，引線，簡單封裝完成制備周期對數天線集成碲化鎳太赫茲探測器。