[發明專利]一種新型的GaN基ESD防護電路

在審

• 申請號: 202110265205.2
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN113161345A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 陳萬軍;王園;段力冬;信亞杰;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種新型的GaN基ESD防護電路，其特征在于，包括作為主功率器件的第一增強型p-GaN HEMT器件、作為觸發器件的第二增強型p-GaN HEMT器件、限流電阻和觸發二極管組；所述限流電阻的一端與第一增強型p-GaN HEMT器件的柵極連接，限流電阻的另一端與第一增強型p-GaN HEMT器件的源極連接；觸發二極管組由多個二極管串聯構成，觸發二極管組的陰極與第一增強型p-GaN HEMT器件的柵極連接，觸發二極管組的陽極與第一增強型p-GaNHEMT器件的漏極連接；觸發二極管組與第一增強型p-GaN HEMT器件漏極的連接點與第二增強型p-GaN HEMT器件的柵極連接；第二增強型p-GaN HEMT器件的源極與限流電阻的另一端連接。

2.根據權利要求1所述的一種新型的GaN基ESD防護電路，其特征在于，所述第一增強型p-GaN HEMT器件和第二增強型p-GaN HEMT器件的柵極金屬與p-GaN層接觸為歐姆接觸或者肖特基接觸。

3.根據權利要求1所述的一種新型的GaN基ESD防護電路，其特征在于，所述觸發二極管組中的二極管為常關型橫向場控功率二極管或者GaN基肖特基二極管。

4.根據權利要求3所述的一種新型的GaN基ESD防護電路，其特征在于，所述觸發二極管中二極管的數量為3-10個。