[發(fā)明專利]聲波裝置、濾波器和多路復(fù)用器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110265068.2
• 申請(qǐng)日: 2021-03-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113395054A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西村拓哉;中里壽春;西澤年雄;高橋直樹(shù)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 太陽(yáng)誘電株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H9/25
• 分類號(hào): H03H9/25;H03H9/64
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 趙彤;劉久亮

1.一種聲波裝置，該聲波裝置包括：

支撐基板；

壓電層，所述壓電層位于所述支撐基板之上；

至少一對(duì)梳狀電極，所述至少一對(duì)梳狀電極設(shè)置在所述壓電層上，所述至少一對(duì)梳狀電極中的每一個(gè)包括激發(fā)聲波的電極指；

溫度補(bǔ)償膜，所述溫度補(bǔ)償膜介于所述支撐基板和所述壓電層之間，所述溫度補(bǔ)償膜具有等于或小于所述電極指的平均節(jié)距的2倍的厚度，所述溫度補(bǔ)償膜的彈性常數(shù)的溫度系數(shù)的符號(hào)與所述壓電層的彈性常數(shù)的溫度系數(shù)的符號(hào)相反；以及

邊界層，所述邊界層介于所述支撐基板和所述溫度補(bǔ)償膜之間，所述邊界層具有等于或大于所述電極指的平均節(jié)距的2.2倍的厚度，通過(guò)所述邊界層傳播的橫波的聲速小于通過(guò)所述支撐基板傳播的橫波的聲速并且大于通過(guò)所述溫度補(bǔ)償膜傳播的橫波的聲速。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波裝置，其中，通過(guò)所述溫度補(bǔ)償膜傳播的所述橫波的聲速小于通過(guò)所述壓電層傳播的所述橫波的聲速。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲波裝置，其中，所述溫度補(bǔ)償膜的定位為靠近所述支撐基板的第一表面與所述壓電層的定位為靠近所述一對(duì)梳狀電極的第二表面之間的距離等于或小于所述電極指的平均節(jié)距的2倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的聲波裝置，其中，所述邊界層的厚度等于或大于所述電極指的平均節(jié)距的4.0倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的聲波裝置，其中，通過(guò)所述支撐基板傳播的所述橫波的聲速等于或大于通過(guò)所述邊界層傳播的所述橫波的聲速的1.1倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的聲波裝置，其中，通過(guò)所述邊界層傳播的所述橫波的聲速等于或大于通過(guò)所述溫度補(bǔ)償膜傳播的所述橫波的聲速的1.1倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的聲波裝置，其中，所述橫波是體波。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲波裝置，該聲波裝置還包括接合層，所述接合層介于所述溫度補(bǔ)償膜與所述壓電層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的聲波裝置，其中，所述壓電層是主要由鉭酸鋰或鈮酸鋰組成的單晶體，所述溫度補(bǔ)償膜是主要由氧化硅組成的多晶體或主要由氧化硅組成的非晶體，所述邊界層是主要由氧化鋁組成的多晶體或主要由氧化鋁組成的非晶體，并且所述支撐基板是藍(lán)寶石基板或碳化硅基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的聲波裝置，其中，所述電極指的平均節(jié)距是通過(guò)將所述至少一對(duì)梳狀電極在所述電極指排列的方向上的長(zhǎng)度除以所述電極指的數(shù)量而計(jì)算出的值。

11.一種濾波器，該濾波器包括：

根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的聲波裝置。

12.一種多路復(fù)用器，該多路復(fù)用器包括：

根據(jù)權(quán)利要求11所述的濾波器。