[發明專利]一種識別光刻缺陷熱點圖形的方法及圖形結構

在審

• 申請號: 202110264931.2
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN114764780A
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 潘偉偉;藍帆
• 申請（專利權）人: 杭州廣立微電子股份有限公司
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06T7/13;G06T7/181
• 代理公司: 江蘇坤象律師事務所 32393
• 代理人: 趙新民

1.一種識別光刻缺陷熱點圖形的方法，其特征在于：包括：

步驟S1.獲取版圖信息，并確定版圖的待識別層，即目標圖形所在層；

步驟S2.預設寬度范圍width，設垂直于圖形走向的圖形寬度為線寬；將線寬在所述width范圍內的圖形識別為初始多邊形，并將其沿圖形走向的輪廓邊識別為初始邊；

步驟S3.預設第一間距范圍和第二間距范圍；將相鄰圖形之間的間距在第一間距范圍內的間隔區域識別為第一間隔區，將相鄰圖形之間的間距在第二間距范圍內的間隔區域識別為第二間隔區；

步驟S4.將所述初始邊中，與所述第一間隔區接觸的邊識別為第一邊，與所述第二間隔區接觸的邊識別為第二邊；

步驟S5.將所述初始多邊形中，滿足一側輪廓邊為第一邊且另一側輪廓邊為第二邊的多邊形區域識別為plg_out，并將plg_out兩側的邊識別為Edge_out；

步驟S6.將所述Edge_out與相鄰圖形之間的間距在預設的RightSpace范圍內的間隔區域識別為Fit_RS_plus，將所述Edge_out與相鄰圖形之間的間距在預設的LeftSpace范圍內的間隔區域識別為Fit_LS_plus；

步驟S7.所述Fit_LS_plus的一側與所述plg_out接觸，將與Fit_LS_plus另一側接觸的圖形中線寬在預設的W1范圍內的多邊形區域識別為plg_out_LS，并將所述plg_out_LS中與所述Fit_LS_plus接觸的輪廓邊識別為Fit_LSW_e；

所述Fit_RS_plus的一側與所述plg_out接觸，將與Fit_RS_plus另一側接觸的圖形中線寬在預設的W2范圍內的多邊形區域識別為plg_out_RS，并將所述plg_out_RS中與所述Fit_RS_plus接觸的輪廓邊識別為Fit_RSW_e；

步驟S8.將所述Fit_LSW_e與所述Edge_out之間的間隔區域識別為Fit_LSW，將所述Fit_RSW_e與所述Edge_out之間的間隔區域識別為Fit_RSW；

步驟S9.將所述plg_out中與所述Fit_LSW接觸的輪廓邊識別為Fit_width_e_LSW，將所述plg_out中與所述Fit_RSW接觸的輪廓邊識別為Fit_width_e_RSW；

將所述plg_out中，滿足一側輪廓邊為Fit_width_e_LSW且另一側輪廓邊為Fit_width_e_RSW的多邊形區域識別為plg_out_plus；所述plg_out_plus為識別出的目標圖形，即光刻缺陷熱點圖形。

2.根據權利要求1所述的一種識別光刻缺陷熱點圖形的方法，其特征在于：所述步驟S3中相鄰圖形之間的間距，是指所述初始多邊形與其相鄰圖形之間的間距。

3.根據權利要求1所述的一種識別光刻缺陷熱點圖形的方法，其特征在于：所述第一間隔區、第二間隔區、Fit_RS_plus、Fit_LS_plus、Fit_LSW和Fit_RSW都是多邊形。

4.根據權利要求1所述的一種識別光刻缺陷熱點圖形的方法，其特征在于：所述待識別層是多晶硅層、金屬層或有源區層中的一層或多層。

5.根據權利要求1所述的一種識別光刻缺陷熱點圖形的方法，其特征在于：在版圖的待識別層中，所有圖形的輪廓邊都是沿著圖形走向的邊或者垂直于圖形走向邊。

6.一種光刻缺陷熱點圖形結構，其特征在于：通過權利要求1-5任意一項所述的一種識別光刻缺陷熱點圖形的方法識別得到，包括圖層及圖層上的光刻缺陷熱點圖形。