[發(fā)明專利]邊緣環(huán)及其更換方法、基片支承臺和等離子體處理系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110264471.3
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN113451096A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設計）人: 辻本宏;桑原有生;李黎夫
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種基片支承臺，其特征在于，具有：

載置基片的基片載置面；

載置邊緣環(huán)的環(huán)載置面，其中所述邊緣環(huán)以包圍被載置于所述基片載置面的基片的方式配置；和

用于將所述邊緣環(huán)通過靜電力來吸附并保持于所述環(huán)載置面的電極，

所述邊緣環(huán)在與所述環(huán)載置面相對的面粘貼有傳熱片，且經由該傳熱片載置于所述環(huán)載置面，

所述傳熱片在與所述環(huán)載置面相對的面形成有導電膜，

所述邊緣環(huán)通過借助由所述電極形成的靜電力來吸附被粘貼于該邊緣環(huán)的所述傳熱片的所述導電膜，而被保持于所述環(huán)載置面。

2.如權利要求1所述的基片支承臺，其特征在于：

在所述環(huán)載置面沒有形成供給傳熱氣體的氣體供給孔。

3.如權利要求1或2所述的基片支承臺，其特征在于：

所述邊緣環(huán)在與所述環(huán)載置面相對的面具有凹部，

所述傳熱片粘貼于所述凹部。

4.如權利要求1～3中任一項所述的基片支承臺，其特征在于：

所述邊緣環(huán)由石英形成。

5.如權利要求1～3中任一項所述的基片支承臺，其特征在于：

所述邊緣環(huán)由Si或者SiC形成。

6.如權利要求1～5中任一項所述的基片支承臺，其特征在于：

所述導電膜由Al形成。

7.如權利要求1～6中任一項所述的基片支承臺，其特征在于：

所述導電膜的厚度為10μm以下。

8.如權利要求1～7中任一項所述的基片支承臺，其特征在于：

具有使所述邊緣環(huán)升降的升降部件。

9.如權利要求8所述的基片支承臺，其特征在于：

所述升降部件在下方具有在上下方向上延伸的柱狀部，并且與所述邊緣環(huán)抵接的抵接面的面積比所述柱狀部的截面積大。

10.如權利要求8所述的基片支承臺，其特征在于：

所述邊緣環(huán)在與所述環(huán)載置面相對的面中的與所述升降部件抵接的部分，沒有形成所述傳熱片和所述導電膜。

11.一種等離子體處理系統(tǒng)，其特征在于，包括：

等離子體處理裝置，其具有：權利要求8～10中任一項所述的基片支承臺；構成為內部能夠設置所述基片支承臺且可減壓的處理容器；對所述電極施加電壓的電壓施加部；和使所述升降部件的升降機構，所述等離子體處理裝置對所述基片支承臺上的基片進行等離子體處理；

輸送裝置，其具有支承所述邊緣環(huán)的支承部，使所述支承部向所述處理容器插入或抽出來對所述處理容器送入或送出所述邊緣環(huán)；和

控制所述電壓施加部、所述升降機構和所述輸送裝置的控制裝置，

所述控制裝置控制所述電壓施加部、所述升降機構和所述輸送裝置，以執(zhí)行：

將支承于所述支承部的所述邊緣環(huán)輸送到所述基片支承臺上的步驟；

使所述升降部件上升，從所述支承部向所述升降部件交接所述邊緣環(huán)的步驟；

在所述支承部避讓后，使所述升降部件下降，將所述邊緣環(huán)經由被粘貼于所述邊緣環(huán)的所述傳熱片載置于所述環(huán)載置面的步驟；和

對所述電極施加電壓，利用由此產生的靜電力，吸附被粘貼于所述邊緣環(huán)的所述傳熱片的所述導電膜，將所述邊緣環(huán)保持于所述環(huán)載置面的步驟。