[發明專利]一種應用于集成電路高低壓隔離的反向電場耦合隔離結構

有效

• 申請號: 202110264250.6
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN113054004B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 孫瑞澤;賴靜雪;劉超;陳萬軍
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L27/088;H01L21/765
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種應用于集成電路高低壓隔離的反向電場耦合隔離結構，所述集成電路為將高壓器件(10)和低壓器件(20)集成在同一襯底上，其特征在于，所述隔離結構包括凹槽(09)、絕緣層(07)和金屬電極(08)；所述凹槽(09)沿垂直方向由集成電路上表面延伸至集成電路緩沖層中；絕緣層(07)覆蓋凹槽(09)的底部和側面，并沿集成電路表面向兩側延伸至分別與高壓器件(10)的漏極和低壓器件(20)的源極接觸；金屬電極(08)填充于凹槽(09)內，并通過絕緣層(07)與集成電路隔離，金屬電極(08)與負電源相連；所述隔離結構在高壓器件(10)與低壓器件(20)之間形成一個反向電場，從而減小高壓器件漏極對低壓器件源極和柵極的電場影響；所述金屬電極(08)包括第一金屬電極和第二金屬電極，第一金屬電極靠近高壓器件(10)一側，第二金屬電極靠近低壓器件(20)一側，第一金屬電極電位為零，第二金屬電極電位為負。

2.根據權利要求1所述的一種應用于集成電路高低壓隔離的反向電場耦合隔離結構，其特征在于，所述隔離結構所產生的反向電場強度，通過凹槽(09)的形狀和/或絕緣層(07)的厚度和/或金屬電極(08)的數量進行調整；多個金屬電極(08)之間通過絕緣層(07)隔離。

3.根據權利要求2所述的一種應用于集成電路高低壓隔離的反向電場耦合隔離結構，其特征在于，所述凹槽(09)的形狀為矩形、梯形、V字型和T字形中的一種。

4.根據權利要求3所述的一種應用于集成電路高低壓隔離的反向電場耦合隔離結構，其特征在于，所述絕緣層(07)在靠近高壓器件(10)一側的厚度大于靠近低壓器件(20)一側的厚度。

5.根據權利要求4所述的一種應用于集成電路高低壓隔離的反向電場耦合隔離結構，其特征在于，所述絕緣層(07)底部的厚度，從靠近高壓器件(10)一側到低壓器件(20)一側遞減。