[發(fā)明專利]一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110263859.1
• 申請(qǐng)日: 2021-03-10
• 公開（公告）號(hào): CN112885809A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴志展;王宇航;李申祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L23/482;H01L25/16
• 代理公司: 杭州九洲專利事務(wù)所有限公司 33101
• 代理人: 陳琦;陳繼亮

本發(fā)明公開了一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)，包括IPM封裝結(jié)構(gòu)本體，所述IPM封裝結(jié)構(gòu)本體主要包括絕緣陶瓷基板及設(shè)置在該緣陶瓷基板上的芯片模塊，且所述絕緣陶瓷基板的上表面與芯片模塊之間包覆設(shè)置有一層層壓箔，該層壓箔對(duì)應(yīng)于芯片模塊控制端口、集電極和發(fā)射極的位置上分別開設(shè)有與對(duì)應(yīng)芯片或緣陶瓷基板連通的通孔，層壓箔的上表面設(shè)置有一層滲入在通孔內(nèi)并與芯片模塊電性連接的填充銅層，所述填充銅層的上表面蝕刻有排線圖形，填充銅層上覆蓋有一層用于保護(hù)排線圖形的阻焊層；所述緣陶瓷基板上設(shè)置有作為IPM封裝結(jié)構(gòu)本體引腳的焊接點(diǎn)；所述芯片模塊包括驅(qū)動(dòng)芯片、IGBT芯片及FWD芯片。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及IPM封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

智能功率模塊(IPM)是Intelligent Power Module的縮寫，是一種將電力電子和集成電路技術(shù)結(jié)合的功率驅(qū)動(dòng)類半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)的分立式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)相比，智能功率模塊以其高集成度、高可靠性等優(yōu)勢(shì)而得到越來越廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的智能功率模塊通常是在平面結(jié)構(gòu)的基板上裝配各類電子元件，而隨著半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)朝著小尺寸化、集成化的方向發(fā)展，如何提高智能功率模塊的集成度且減少智能功率模塊的尺寸是越來越多的技術(shù)人員關(guān)注的問題。

此外，現(xiàn)有傳統(tǒng)型IPM封裝結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)芯片與IGBT芯片分別在引線框架和DBC上特定位置進(jìn)行固定，IGBT芯片、FWD芯片以及驅(qū)動(dòng)芯片之間的電氣連接往往采用鍵合線的方式，導(dǎo)致塌線等問題成為了IPM生產(chǎn)中的一個(gè)難點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種體積較小、可進(jìn)一步提高模塊功率密度的無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的目的是通過如下技術(shù)方案來完成的，一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)，包括IPM封裝結(jié)構(gòu)本體，所述IPM封裝結(jié)構(gòu)本體主要包括絕緣陶瓷基板及設(shè)置在該緣陶瓷基板上的芯片模塊，且所述絕緣陶瓷基板的上表面與芯片模塊之間包覆設(shè)置有一層層壓箔，該層壓箔對(duì)應(yīng)于芯片模塊控制端口、集電極和發(fā)射極的位置上分別開設(shè)有與對(duì)應(yīng)芯片或緣陶瓷基板連通的通孔，層壓箔的上表面設(shè)置有一層滲入在通孔內(nèi)并與芯片模塊電性連接的填充銅層，所述填充銅層的上表面蝕刻有排線圖形，填充銅層上覆蓋有一層用于保護(hù)排線圖形的阻焊層；所述緣陶瓷基板上設(shè)置有作為IPM封裝結(jié)構(gòu)本體引腳的焊接點(diǎn)。

進(jìn)一步地，所述芯片模塊包括驅(qū)動(dòng)芯片、IGBT芯片及FWD芯片。

進(jìn)一步地，所述絕緣陶瓷基板包括依次設(shè)置的上銅層、絕緣陶瓷層和下銅層。

進(jìn)一步地，所述填充銅層通過電鍍的方式填充到對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果在于：本發(fā)明通過在填充銅層上表面蝕刻排線圖形的方式解決了現(xiàn)有技術(shù)中鍵合線塌線等問題，而且使模塊的體積大大減小，進(jìn)一步提高了模塊的功率密度。同時(shí)，采用焊接點(diǎn)替代引線框架，使之替代引線框架的電氣功能，可以進(jìn)一步降低模塊生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的絕緣陶瓷基板及芯片排布示意圖；

圖2為本發(fā)明所述層壓箔的位置示意圖；

圖3為本發(fā)明所述層壓箔的打孔位置示意圖；

圖4為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更加清楚地理解本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的闡述。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，“上”、“下”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“橫向”、“豎向”等術(shù)語所指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明，而不是指示或暗示所指的裝置或原件必須具有特定的方位，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。