[發(fā)明專利]智能功率模塊和智能功率模塊的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110263259.5
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN112802801A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王敏;左安超;謝榮才
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司;廣東匯智精密制造有限公司;廣東匯智精密儀器有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/498;H01L23/528;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56
• 代理公司: 深圳市辰為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44719
• 代理人: 唐文波

1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括：

電路基板，所述電路基板上設(shè)有電路層；

多個(gè)低壓引腳，多個(gè)所述低壓引腳的第一端分別與所述電路層電性連接；

多個(gè)高壓引腳，多個(gè)所述高壓引腳的第一端分別與所述電路層電性連接；

密封本體，所述密封本體包裹所述電路基板、以及連接有各所述低壓引腳和各所述高壓引腳的電路層；

其中，各所述低壓引腳的第二端分別從所述密封本體的第一側(cè)面引出，并在所述密封本體的第一側(cè)面形成一一對應(yīng)的各第一引出部；各所述高壓引腳的第二端分別從所述密封本體的第一側(cè)面引出，并在所述密封本體的第一側(cè)面形成一一對應(yīng)的各第二引出部；所述密封本體的第一側(cè)面設(shè)有若干個(gè)爬電凹槽，所述爬電凹槽位于相鄰的所述第一引出部和所述第二引出部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，相鄰的所述第二引出部與所述第二引出部之間設(shè)有所述爬電凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的智能功率模塊，其特征在于，還包括多個(gè)隔板，多個(gè)所述隔板分別設(shè)于所述爬電凹槽，且用于將相應(yīng)的所述爬電凹槽隔成兩個(gè)子凹槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的智能功率模塊，其特征在于，所述隔板為平面板、錐面板、鋸齒形面板或曲面板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的智能功率模塊，其特征在于，各所述低壓引腳的第二端和各所述高壓引腳的第二端分別靠近所述密封本體的第二側(cè)面設(shè)置；所述電路基板靠近所述密封本體的與所述第二側(cè)面相對應(yīng)的第三側(cè)面設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述密封本體的第三側(cè)面用于設(shè)置散熱組件；所述散熱組件與所述密封本體固定連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的智能功率模塊，其特征在于，所述散熱組件包括固定基座以及設(shè)于所述固定基座上的散熱片；所述固定基座與所述密封本體固定連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的智能功率模塊，其特征在于，所述低壓引腳與所述固定基座之間的垂直距離為第一距離值，所述第一距離值大于預(yù)設(shè)爬電距離；所述高壓引腳與所述固定基座之間的垂直距離為第二距離值，所述第二距離值大于所述預(yù)設(shè)爬電距離。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述電路基板與所述電路層之間設(shè)有絕緣層；所述電路層包括電路布線層，以及配置于所述電路布線層上的電路元件；所述電路布線層設(shè)于所述絕緣層上。

10.一種根據(jù)權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的智能功率模塊的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一電路基板；

在所述電路基板上制備電路層；

在所述電路層配設(shè)多個(gè)低壓引腳和多個(gè)高壓引腳，且多個(gè)所述低壓引腳的第一端分別通過金屬線與所述電路層連接；多個(gè)所述高壓引腳的第一端分別通過金屬線與所述電路層連接；

對設(shè)置有所述電路層、多個(gè)所述低壓引腳和多個(gè)所述高壓引腳的所述電路基板通過封裝模具進(jìn)行注塑以形成密封本體；其中，將各所述低壓引腳的第二端分別從所述密封本體的第一側(cè)面引出，并在所述密封本體的第一側(cè)面形成一一對應(yīng)的各第一引出部；將各所述高壓引腳的第二端分別從所述密封本體的第一側(cè)面引出，并在所述密封本體的第一側(cè)面形成一一對應(yīng)的各第二引出部；；在所述密封本體的第一側(cè)面設(shè)置若干個(gè)爬電凹槽，以使所述爬電凹槽位于相鄰的所述第一引出部和所述第二引出部。