[發明專利]一種MEMS器件復合金屬犧牲層的制備方法在審
| 申請號： | 202110262903.7 | 申請日： | 2021-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN113104806A | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 徐亞新;趙飛;梁廣華;劉曉蘭;莊治學;龔孟磊 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十四研究所 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 河北東尚律師事務所 13124 | 代理人： | 王文慶 |
| 地址： | 050081 河北省石家莊*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 器件 復合 金屬 犧牲 制備 方法 | ||
1.一種MEMS器件復合金屬犧牲層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將需要做犧牲層的MEMS基板進行金屬膜層的濺射，其中濺射金屬的種類與MEMS基板上底層金屬的種類不同，濺射膜層厚度與MEMS基板上底層金屬圖形的厚度相同；
(2)在步驟(1)處理后的MEMS基板表面旋涂光刻膠，通過曝光和顯影，使光刻膠覆蓋懸浮結構下的非底層金屬區域，其他區域的濺射膜層裸露出來；
(3)將步驟(2)處理后的MEMS基板去除裸露的步驟1濺射的金屬膜層，刻蝕干凈后將MEMS基板進行去離子水噴淋清洗，并氮氣吹干，再去除MEMS基板表面的光刻膠，完成第一層犧牲層制備，實現底層金屬平坦化填充層；
(4)將步驟(3)處理后的MEMS基板進行金屬膜層的濺射，其中濺射金屬的種類與MEMS基板上底層金屬的種類不同，濺射膜層厚度為MEMS器件中觸點的間隙距離；
(5)在步驟(4)處理后的MEMS基板表面旋涂光刻膠，通過曝光和顯影裸露出懸浮結構錨區的金屬膜層，懸浮結構區域的濺射膜層實現光刻膠覆蓋；
(6)將步驟(5)處理后的MEMS基板去除裸露的步驟4濺射的金屬膜層，刻蝕干凈后將MEMS基板取出進行去離子水噴淋清洗，并氮氣吹干，再去除MEMS基板表面的光刻膠，完成第二層犧牲層制備；
(7)將步驟(6)處理后的MEMS基板進行金屬膜層的濺射，其中濺射金屬種類與步驟4的金屬膜層種類不同，濺射膜層厚度為懸浮結構中觸點的高度；
(8)在步驟(7)處理后的MEMS基板表面旋涂光刻膠，通過曝光和顯影裸露出懸浮結構錨區和觸點區域的金屬膜層，懸浮結構區域的濺射膜層實現光刻膠覆蓋；
(9)將步驟(8)處理后的MEMS基板去除裸露的步驟7濺射的金屬膜層，刻蝕干凈后將MEMS基板進行去離子水噴淋清洗，并氮氣吹干，再去除MEMS基板表面的光刻膠，完成第三層犧牲層制備；
完成MEMS器件復合金屬犧牲層的制備。
2.根據權利要求1所述的一種MEMS器件復合金屬犧牲層制備方法，其特征在于，第一層犧牲層所用的金屬是鈦、是銅或鋁；第二層犧牲層所用的金屬是銅、鎳或鋁；第三層犧牲層所用的金屬是鈦、鉻或鋁。
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