[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110262572.7
• 申請(qǐng)日: 2021-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN113053736A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈怡東;王成森;張超;李松松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 捷捷半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/22
• 分類號(hào): H01L21/22;H01L21/225;H01L21/324
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 衡滔

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件制作方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。首先提供一N型硅片，其中，N型硅片上設(shè)置有擴(kuò)散窗口，然后沿N型硅片的表面涂覆鋁源，并形成鋁源層，再沿鋁源層的表面沉積掩蔽層，然后在與擴(kuò)散窗口對(duì)應(yīng)位置的掩蔽層表面設(shè)置光刻膠，并刻蝕除擴(kuò)散窗口區(qū)域以外的鋁源層與掩蔽層，最后在目標(biāo)環(huán)境下使鋁源層向N型硅片的擴(kuò)散窗口進(jìn)行的擴(kuò)散，以制作半導(dǎo)體器件。本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體器件制作方法具有擴(kuò)散方式簡(jiǎn)單，效率高且對(duì)設(shè)備要求低的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件制作方法。

背景技術(shù)

目前，傳統(tǒng)的鋁擴(kuò)散方式一般包括兩種。第一種為離子注入鋁，即通過離子注入的方式，實(shí)現(xiàn)鋁源的摻雜，并在高溫下對(duì)鋁進(jìn)行擴(kuò)散。第二種為真空擴(kuò)鋁，即在真空環(huán)境下，通過對(duì)鋁源的加熱揮發(fā)至硅片表面，進(jìn)而進(jìn)行擴(kuò)散。

然而，針對(duì)離子注入鋁方式，離子注入鋁設(shè)備比較昂貴，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高濃度鋁擴(kuò)散需要注入時(shí)間很長(zhǎng)，效率較低，并且因注入鋁所使用的源升華溫度較低，注入過程速流不穩(wěn)定。針對(duì)真空擴(kuò)鋁方式，為避免鋁源氧化，故對(duì)設(shè)備真空度要求較高；擴(kuò)散過程中，鋁源會(huì)沉積于腔體內(nèi)，對(duì)腔體清理及溫度可控能力帶來挑戰(zhàn)；真空擴(kuò)鋁過程中，實(shí)現(xiàn)的鋁硅合金點(diǎn)不易去除。

綜上，現(xiàn)有技術(shù)中鋁擴(kuò)散方式存在效率低，要求高等問題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中鋁擴(kuò)散方式存在的效率低，要求高等問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下：

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件制作方法，所述方法包括：

提供一N型硅片，其中，所述N型硅片上設(shè)置有擴(kuò)散窗口；

沿所述N型硅片的表面涂覆鋁源，并形成鋁源層；

沿所述鋁源層的表面沉積掩蔽層；

在與所述擴(kuò)散窗口對(duì)應(yīng)位置的掩蔽層表面設(shè)置光刻膠，并刻蝕除所述擴(kuò)散窗口區(qū)域以外的所述鋁源層與所述掩蔽層；

在目標(biāo)環(huán)境下使鋁源層向所述N型硅片的擴(kuò)散窗口進(jìn)行的擴(kuò)散，以制作所述半導(dǎo)體器件。

可選地，在所述沿所述N型硅片的表面涂覆鋁源層的步驟之前，所述方法包括：

將硝酸鋁溶于去離子水，以形成待用鋁源；

調(diào)整所述待用鋁源的粘度與濃度，以生成鋁源。

可選地，所述調(diào)整所述待用鋁源的粘度與濃度，以生成鋁源的步驟包括：

向所述待用鋁源中添加乙二醇甲醚，直至將所述待用鋁源的濃度調(diào)整為2％～30％，黏度調(diào)為10～150cp。

可選地，在所述沿所述N型硅片的表面涂覆鋁源的步驟之前，所述方法還包括：

對(duì)所述N型硅片的表面進(jìn)行鏡面處理；

將處理后的N型硅片置于1000～1200℃的條件下，以在所述N型硅片的表面生長(zhǎng)2000～10000A的氧化層。

可選地，所述鋁源包括硝酸鋁溶液，所述沿所述N型硅片的表面涂覆鋁源，并形成鋁源層的步驟包括：

在轉(zhuǎn)速為1000～5000rpm的條件下，將所述硝酸鋁溶液涂覆于所述 N型硅片的表面；

將涂覆鋁源的N型硅片置于500～700℃的氧氣環(huán)境下，以使所述硝酸鋁分解，形成三氧化二鋁層。

可選地，所述沿所述鋁源層的表面沉積掩蔽層的步驟包括：

將生成鋁源層的N型硅片置于的400～800℃的環(huán)境下，并在所述鋁源層的表面沉積氮化硅層，以形成掩蔽層。