[發明專利]一種HfO2

有效

• 申請號: 202110262011.7
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN113178477B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 田國良;許高博;殷華湘;項金娟
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L21/02
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 史晶晶

1.一種HfO₂基鐵電薄膜的沉積方法，其特征在于，包括：

在半導體載體表面形成一層羥基；

然后依次沉積鉿的氮氧化物薄膜、其他元素的氮氧化物薄膜，或者沉積依次其他元素的氮氧化物薄膜、鉿的氮氧化物薄膜；

沉積頂電極；

退火；

其中，所述鉿的氮氧化物薄膜由鉿前驅體與NH₃ 、氧化劑反應生成；

所述其他元素的氮氧化物薄膜由其他元素的前驅體與NH₃ 、氧化劑反應生成，并且其他元素選自Al、Zr、La、Gd和Si中至少一種。

2.根據權利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述鉿的氮氧化物薄膜采用原子層沉積法形成。

3.根據權利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述其他元素的氮氧化物薄膜采用原子層沉積法形成。

4.根據權利要求2所述的沉積方法，其特征在于，在沉積所述鉿的氮氧化物薄膜的過程中，每個沉積循環內，依次供應鉿前驅體、氨氣、氧化劑，或者依次供應鉿前驅體、氧化劑、氨氣。

5.根據權利要求4所述的沉積方法，其特征在于，在沉積所述鉿的氮氧化物薄膜的過程中，每個沉積循環內，依次供應鉿前驅體、吹掃氣體、氨氣、吹掃氣體、氧化劑、吹掃氣體；或者依次供應鉿前驅體、吹掃氣體、氧化劑、吹掃氣體、氨氣、吹掃氣體。

6.根據權利要求3所述的沉積方法，其特征在于，在沉積所述其他元素的氮氧化物薄膜的過程中，每個沉積循環內，依次供應其他元素的前驅體、氨氣、氧化劑，或者依次供應其他元素的前驅體、氧化劑、氨氣。

7.根據權利要求6所述的沉積方法，其特征在于，在沉積所述鉿的氮氧化物薄膜的過程中，每個沉積循環內，依次供應其他元素的前驅體、吹掃氣體、氨氣、吹掃氣體、氧化劑、吹掃氣體，或者依次供應其他元素的前驅體、吹掃氣體、氧化劑、吹掃氣體、氨氣、吹掃氣體。

8.根據權利要求1-7任一項所述的沉積方法，其特征在于，所述退火溫度為400～1000℃。

9.根據權利要求5或7所述的沉積方法，其特征在于，吹掃氣體為惰性氣體。

10.一種HfO₂基鐵電薄膜，其特征在于，采用權利要求1-9任一項所述的沉積方法形成。