[發明專利]一種熱敏型探測器結構及其集成方法在審
| 申請號： | 202110260904.8 | 申請日： | 2021-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN113517360A | 公開（公告）日： | 2021-10-19 |
| 發明（設計）人： | 亨利·H·阿達姆松;戚璇;焦斌斌;王桂磊 | 申請（專利權）人： | 廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院 |
| 主分類號： | H01L31/0232 | 分類號： | H01L31/0232;H01L31/105;H01L31/18;G01J5/20 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 510535 廣東省廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 熱敏 探測器 結構 及其 集成 方法 | ||
1.一種熱敏型探測器結構，其特征在于，包括：
具有讀出電路結構的襯底，在所述襯底上依次堆疊有介質層、P型摻雜鍺層、本征層和N型摻雜鍺層；
其中，所述介質層內部具有空腔結構，所述本征層為Ge層。
2.根據權利要求1所述的熱敏型探測器結構，其特征在于，所述介質層為氧化硅層。
3.一種熱敏型探測器結構的集成方法，其特征在于，包括：
提供具有讀出電路結構的支撐襯底；
在所述支撐襯底靠近所述讀出電路結構的表面依次堆疊形成第一介質層、無定形硅層；對所述無定形硅層進行光刻和刻蝕，使其僅覆蓋所述第一介質層的部分表面，然后沉積第二介質層，所述第二介質層和所述第一介質層接壤并將所述無定形硅層包裹；
提供犧牲襯底，所述犧牲襯底由背襯底、本征層和P型摻雜鍺層依次堆疊而成，并且所述本征層為Ge層；
在沉積所述第二介質層后，分別以所述支撐襯底中所述讀出電路結構、所述P型摻雜鍺層為鍵合面，將所述支撐襯底和所述犧牲襯底鍵合；
去除所述背襯底；在所述本征層的表面形成N型摻雜鍺層；
刻蝕去除所述無定形硅層，使所述第二介質層和所述第一介質層之間形成空腔結構。
4.根據權利要求3所述的集成方法，其特征在于，所述第二介質層和所述第一介質層均為氧化硅層。
5.根據權利要求3所述的集成方法，其特征在于，所述背襯底為硅。
6.根據權利要求3所述的集成方法，其特征在于，采用等離子體化學氣相沉積法形成所述第一介質層和所述第二介質層。
7.根據權利要求3所述的集成方法，其特征在于，在鍵合之前還對所述第二介質層進行化學機械拋光處理。
8.根據權利要求3所述的集成方法，其特征在于，采用外延法形成所述N型摻雜鍺層。
9.根據權利要求3所述的集成方法，其特征在于，采用磨拋、濕法腐蝕、干法刻蝕和化學機械拋光中的至少一種去除所述背襯底。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
