[發明專利]電子裝置有效
| 申請號: | 202110259996.8 | 申請日: | 2021-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN113035066B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發明(設計)人: | 王睦凱;蔡艾茹;黃國有;洪仕馨;徐雅玲;王洸富 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G09F9/30 | 分類號: | G09F9/30 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 | ||
1.一種電子裝置,包括:
基板;
多條橫向信號線,配置于所述基板上;
第一縱向信號線,配置于所述基板上,與多條所述橫向信號線相交,且所述第一縱向信號線連接多條所述橫向信號線的其中一條;
第二縱向信號線,配置于所述基板上,與所述第一縱向信號線平行且相鄰;
第一絕緣層,覆蓋所述第一縱向信號線與所述第二縱向信號線,所述第一絕緣層具有溝槽,其中所述溝槽沿著所述第一縱向信號線與所述第二縱向信號線延伸,且所述溝槽在所述基板的投影位于所述第一縱向信號線在所述基板的投影與所述第二縱向信號線在所述基板的投影之間;
共用電極,覆蓋于所述第一絕緣層上,且所述共用電極覆蓋所述溝槽的表面;以及
第二絕緣層,夾設于所述橫向信號線所在的膜層與所述第一縱向信號線所在的膜層,所述第二絕緣層具有對應于所述溝槽的凹槽,且所述共用電極更形成于所述第二絕緣層的所述凹槽內。
2.如權利要求1所述的電子裝置,其中所述溝槽的側壁與所述第一縱向信號線相距2.0μm~6.0μm,所述溝槽的另一側壁與所述第二縱向信號線相距2.0μm~6.0μm。
3.如權利要求1或權利要求2所述的電子裝置,其中所述第一絕緣層包括下部絕緣層及上部絕緣層,所述下部絕緣層包覆所述第一縱向信號線與所述第二縱向信號線,所述上部絕緣層夾設于所述下部絕緣層及所述共用電極所在的膜層之間。
4.如權利要求3所述的電子裝置,其中所述溝槽的深度相當于所述上部絕緣層的膜厚。
5.如權利要求4所述的電子裝置,其中所述溝槽自所述上部絕緣層延伸至所述下部絕緣層中,且所述溝槽的深度小于所述下部絕緣層的膜厚。
6.如權利要求3所述的電子裝置,其中所述溝槽的深度小于所述上部絕緣層的膜厚。
7.如權利要求1所述的電子裝置,其中所述凹槽的深度小于所述第二絕緣層的膜厚。
8.如權利要求1所述的電子裝置,其中所述第二絕緣層的所述凹槽暴露出所述基板。
9.如權利要求1所述的電子裝置,其中所述第二絕緣層具有貫孔以及貫穿所述貫孔的導通結構,所述第一縱向信號線經由所述導通結構連接多條所述橫向信號線的其中一條。
10.如權利要求1或權利要求2所述的電子裝置,還包括:
多個像素結構,配置于所述基板上,多個所述像素結構的其中一者被多條所述橫向信號線的相鄰兩條以及所述第一縱向信號線圍繞且包括像素電極及主動元件,所述主動元件通過多條所述橫向信號線的其中一條與所述第一縱向信號線連接,并且所述主動元件與所述第二縱向信號線連接,所述第一縱向信號線位于所述像素結構與所述溝槽之間。
11.如權利要求10所述的電子裝置,其中在所述基板的俯視圖中,所述第一縱向信號線與所述橫向信號線重疊處具有繞過所述主動元件的圖案。
12.如權利要求1或權利要求2所述的電子裝置,其中所述第一縱向信號線與所述第二縱向信號線具有相互平行的曲折圖案。
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