[發明專利]電子裝置

有效

• 申請號: 202110259971.8
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN113035888B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 王睦凱;黃國有;陳茂松
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G06F3/044;G09F9/30
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 傅磊;閆華

1.一種電子裝置，包括：

基板；

多條柵極線，配置于所述基板上，且沿第一方向延伸；

多條數據線，配置于所述基板上，且沿第二方向延伸，其中所述第一方向與所述第二方向相交；

多個像素結構，陣列排列于所述基板上，每一所述像素結構被所述多條柵極線的相鄰兩條及所述多條數據線的相鄰兩條圍繞且包括主動元件，其中沿所述第二方向排列在同一行的所述多個像素結構按序與不同側的所述數據線電性連接；

柵極轉接線，配置于所述基板上，且沿所述第二方向延伸，所述柵極轉接線電性連接所述多條柵極線的其中一者，所述柵極轉接線所在的膜層與所述多條數據線所在的膜層相同，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述柵極轉接線穿越所述多個像素結構的其中一者及與所述像素結構電性連接的所述數據線之間而于所述基板上構成一跨線區域；以及

轉接結構，配置于所述基板上，且所述轉接結構所在的膜層不同于所述柵極轉接線及所述數據線所在的膜層，在所述跨線區域中，所述柵極轉接線及所述數據線的其中一者通過所述轉接結構或所述像素結構的所述主動元件而跨越所述柵極轉接線及所述數據線的另一者，

其中在所述跨線區域中，所述數據線通過所述轉接結構而跨越所述柵極轉接線，

所述轉接結構沿所述第一方向延伸，所述轉接結構的兩端分別連接所述數據線及所述像素結構的所述主動元件，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述轉接結構與所述柵極轉接線相交。

2.如權利要求1所述的電子裝置，其中所述像素結構的所述主動元件還包括：

縱向導線，配置于所述基板上，所述縱向導線的兩端連接所述轉接結構及所述主動元件，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述柵極轉接線位于所述數據線與所述縱向導線之間。

3.如權利要求2所述的電子裝置，還包括：

第一絕緣層，覆蓋所述柵極線，且具有第一通孔及第二通孔，在所述電子裝置的俯視圖中，所述第一通孔與所述數據線重疊，所述第二通孔與所述縱向導線重疊，其中所述第一通孔及所述第二通孔分別暴露出所述轉接結構的一部分，所述數據線通過所述第一通孔連接至所述轉接結構，所述轉接結構通過所述第二通孔連接至所述縱向導線。

4.如權利要求1所述的電子裝置，其中所述像素結構更具有像素電極，所述像素電極與所述數據線分別電性連接至所述主動元件的相對兩側上的漏極與源極，且

在所述電子裝置的俯視圖中，所述像素電極與所述柵極轉接線相隔一距離。

5.如權利要求3所述的電子裝置，還包括：

第二絕緣層，覆蓋所述數據線及所述柵極轉接線，且具有第三通孔，其中所述第三通孔暴露出所述主動元件的一部分，其中所述像素結構更具有像素電極，所述像素電極與所述數據線分別電性連接至所述主動元件的相對兩側上的漏極與源極，所述像素電極覆蓋所述第三通孔的部分表面，以連接至所述主動元件。

6.如權利要求5所述的電子裝置，其中所述第二絕緣層包括下部絕緣層以及上部絕緣層，所述下部絕緣層共形地設置于所述第一絕緣層上，所述上部絕緣層配置于所述下部絕緣層上。

7.如權利要求5所述的電子裝置，其中所述第二絕緣層為單層結構。

8.如權利要求1所述的電子裝置，還包括：

第三絕緣層，覆蓋所述數據線及所述柵極轉接線，所述第三絕緣層具有溝槽，所述溝槽沿所述第二方向延伸，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述溝槽位于所述數據線與所述柵極轉接線之間。